[发明专利]固态成像元件和电子设备有效
申请号: | 201910141174.2 | 申请日: | 2014-08-07 |
公开(公告)号: | CN110047857B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 富樫秀晃 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768;H01L23/48;H04N5/369;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 电子设备 | ||
本发明提供了一种固态成像元件,所述固态成像元件包括:设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件;在所述半导体基板的第一面和第二面之间形成并且与所述至少一个光电转换元件连接的贯通电极;和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部。所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。
相关申请的交叉参考
本申请是中国专利申请第201480042659.1号的分案申请,第201480042659.1号的专利申请其申请日是2014年8月7日,发明名称是“固态成像元件和电子设备”。
技术领域
本公开涉及一种适于所谓的纵向分光型的固态成像元件和包括固态成像元件的电子设备。
背景技术
CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器可以举例说明安装在数码摄像机、数码相机、智能手机和移动电话等中的固态成像元件。在CMOS图像传感器中,光电荷蓄积在充当光电转换元件的光电二极管的pn结电容中;如此蓄积的光电荷通过MOS晶体管被读出。
现有的固态成像单元通常使用其中红色、绿色和蓝色像素配置在平面上的像素阵列,其通过执行像素之间的插值处理而造成与颜色信号的生成相关联的伪色。因此,对其中沿着同一像素的纵向方向层叠有红色、绿色和蓝光电转换区域的纵向分光型固态成像元件进行了研究。例如,在专利文献1中,公开了一种固态成像元件,其中在半导体基板内层叠有蓝色和红光电二极管,并且在半导体基板的光接收面侧(背面侧或第一面侧)设置有使用有机光电转换膜的绿色光电转换元件。
[引用文献列表]
[专利文献]
专利文献1:日本未审查专利申请公开No.2011-29337
发明内容
专利文献1描述了在绿色光电转换元件中产生的电荷经由贯穿半导体基板的导电插头蓄积在半导体基板的配线层侧(正面侧或第二面侧)的n-型半导体区域中。导电插头对将电荷从半导体基板的第一面侧的光电转换元件顺利地传输到半导体基板的第二面侧从而增强诸如转换效率等特性是必不可少的,并且对导电插头的构成的研究仍然有一定的余地。
因此,希望提供一种允许增强特性的固态成像元件和包括所述固态成像元件的电子设备。
根据本公开实施方案的第一固态成像元件包括:设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件;与所述至少一个光电转换元件连接并且设置在所述半导体基板的第一面和第二面之间的贯通电极;和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部,其中所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。
在根据本公开实施方案的第一固态成像元件中,将在半导体基板的第一面侧的光电转换元件中产生的电荷经由贯通电极传输到半导体基板的第二面侧,以蓄积在浮动扩散部中。放大晶体管将光电转换元件中产生的电荷量调制成电压。
根据本公开实施方案的第二固态成像元件包括:设置在半导体基板的第一面侧的光电转换元件;与所述光电转换元件连接并且设置在所述半导体基板的第一面和第二面之间的贯通电极;设置在所述贯通电极和所述半导体基板之间的分离槽;和填充所述分离槽并具有绝缘性能的介电层。
在根据本公开实施方案的第二固态成像元件中,贯通电极和半导体基板通过分离槽和介电层彼此分隔开。因此,减小了在贯通电极和半导体基板之间产生的电容,从而提高了诸如转换效率等特性。
根据本公开实施方案的第三固态成像元件包括:设置在半导体基板的第一面侧的光电转换元件;与所述光电转换元件连接并且设置在所述半导体基板的第一面和第二面之间的贯通电极;设置在所述贯通电极和所述半导体基板之间的分离槽;覆盖所述分离槽的外侧面的外侧介电层;覆盖所述分离槽的内侧面的内侧介电层;和设置在所述外侧介电层和所述内侧介电层之间的间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910141174.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:固态成像元件和电子设备
- 下一篇:一种晶圆级红外探测芯片的封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的