[发明专利]一种过电压摆幅静电放电防护器件及电路有效
申请号: | 201910141255.2 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN109841615B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 江哲维 | 申请(专利权)人: | 合肥奕斯伟集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 230001 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 过电压 静电 放电 防护 器件 电路 | ||
1.一种过电压摆幅静电放电防护器件,其特征在于,形成在晶圆上,所述过电压摆幅静电放电防护器件包括:
位于所述晶圆上,且具有与所述晶圆隔离的深掺杂衬底;
位于所述深掺杂衬底上的多个掺杂区,所述多个掺杂区包括:
第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区,所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相同,所述第三掺杂区与所述深掺杂衬底的掺杂类型相同,且与所述第一掺杂区的掺杂类型相反;
所述第三掺杂区围绕所述第一掺杂区和所述第二掺杂区,且位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间,将所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分离;
位于所述第一掺杂区的第一P+区和第一N+区;
位于所述第二掺杂区的第二P+区和第二N+区;
以及至少一个触发点,所有所述触发点均接收触发电路的触发电流,当包含一个触发点时,所述触发点位于所述第三掺杂区内;当包含两个触发点时,两个触发点分别位于所述第一掺杂区内和所述第二掺杂区内;当包含三个触发点时,三个触发点分别位于所述第一掺杂区内、所述第二掺杂区内和所述第三掺杂区内;
所述触发点为所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通提供叠加电压,以降低所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通电压;
或者,
为所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通提供叠加电压,以降低第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通电压。
2.根据权利要求1所述的过电压摆幅静电放电防护器件,其特征在于,所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型为P型掺杂。
3.根据权利要求2所述的过电压摆幅静电放电防护器件,其特征在于,所述触发点包括第一P型触发点和第二P型触发点;
其中,所述第一P型触发点位于所述第一掺杂区;
所述第二P型触发点位于所述第二掺杂区。
4.根据权利要求2所述的过电压摆幅静电放电防护器件,其特征在于,所述触发点包括第一N型触发点,所述第一N型触发点位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的第三掺杂区内。
5.根据权利要求2所述的过电压摆幅静电放电防护器件,其特征在于,所述触发点包括第三P型触发点、第四P型触发点和第二N型触发点;
其中,所述第三P型触发点位于所述第一掺杂区;
所述第四P型触发点位于所述第二掺杂区;
所述第二N型触发点位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的所述第三掺杂区内。
6.一种过电压摆幅静电放电防护电路,其特征在于,包括:
电源电压端、地端、输入/输出端、过电压摆幅静电放电防护器件、触发电路和ESD钳制电路;
其中,所述过电压摆幅静电放电防护器件为权利要求1-5任意一项所述的过电压摆幅静电放电防护器件;
所述电源电压端与所述地端分别连接在所述ESD钳制电路的两端;
所述触发电路与所述过电压摆幅静电放电防护器件的所有触发点相连,为所述所有触发点提供触发电流;
所述触发电路和所述过电压摆幅静电放电防护器件并联在:
所述电源电压端和所述输入/输出端;
和/或,
所述地端与所述输入/输出端。
7.根据权利要求6所述的过电压摆幅静电放电防护电路,其特征在于,
当所述过电压摆幅静电放电防护器件包括第一P型触发点和第二P型触发点时,所述触发电路包括:
第一P型触发点触发电路和第二P型触发点触发电路;
所述第一P型触发点触发电路包括多个串联的二极管,串联的二极管的正极连接所述输入/输出端;负极连接所述第一P型触发点;
所述第二P型触发点触发电路包括多个串联的二极管,串联的二极管的正极连接所述电源电压端和/或所述地端;负极连接所述第二P型触发点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的