[发明专利]一种双埋层MOS栅控晶闸管及制备方法

权利要求书

1.一种双埋层MOS栅控晶闸管，其特征在于，包括：

衬底和漂移区；

从下至上依次在漂移区中设置有双N埋层、表面结构；

设置在表面结构上端面的阴极和栅极、以及衬底下端面的阳极；

其中，所述双N埋层包括：

设置在漂移区左侧的第一表面结构下端的第一N埋层，以使其在晶闸管内形成电子势阱；

设置在漂移区右侧的第二表面结构下端的第二N埋层，以使其在寄生三极管区内形成空穴势垒。

2.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述第一N埋层与第二N埋层相对设置。

3.根据权利要求1或2所述的晶闸管，其特征在于，所述电子势阱的大小与所述第一N埋层的掺杂浓度相对应。

4.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，所述空穴势垒的大小与所述第二N埋层的掺杂浓度相对应。

5.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，所述第一N埋层与所述第二N埋层之间的间距与晶闸管类型相对应。

6.一种双埋层MOS栅控晶闸管制备方法，其特征在于，包括：

制备衬底和漂移区；

从下至上依次在漂移区中制备双N埋层、表面结构；

在表面结构上端面以及衬底下端面进行金属化，制备形成阴极、栅极、阳极；

其中，所述在漂移区中制备双N埋层包括：

在漂移区左侧的第一表面结构下端制备第一N埋层，以使其在晶闸管内形成电子势阱；

在漂移区右侧的第二表面结构下端制备第二N埋层，以使其在寄生三极管区内形成空穴势垒。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一N埋层与第二N埋层相对设置。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述电子势阱的大小与所述第一N埋层的掺杂浓度相对应。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴势垒的大小与所述第二N埋层的掺杂浓度与相对应。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一N埋层与所述第二N埋层之间的间距与晶闸管类型相对应。