[发明专利]硅膜的成膜方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 201910142632.4 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN110233096A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 冈田充弘;宫原达也;藤田圭介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅膜 成膜 蚀刻 基板处理装置 成膜工序 膜厚 表面平滑性 蚀刻气体 基底 薄膜 期望 | ||
1.一种硅膜的成膜方法，其具有如下工序；
成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及
蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。
2.根据权利要求1所述的硅膜的成膜方法，其中，
在所述成膜工序中，对不产生针孔的膜厚的硅膜进行成膜。
3.根据权利要求1或2所述的硅膜的成膜方法，其中，
所述成膜工序具有如下步骤：
晶种层形成步骤，在该晶种层形成步骤中，向所述基底供给氨基硅烷系气体而在所述基底的表面形成晶种层；以及
硅膜成膜步骤，在该硅膜成膜步骤中，向所述晶种层供给不含有氨基的硅烷系气体而在所述晶种层之上对硅膜进行成膜。
4.根据权利要求3所述的硅膜的成膜方法，其中，
在所述晶种层形成步骤与所述硅膜成膜步骤之间具有第2硅膜成膜步骤，在该第2硅膜成膜步骤中，向所述晶种层供给比在所述硅膜成膜步骤中所使用的所述硅烷系气体高阶的硅烷系气体。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅膜的成膜方法，其中，
在所述基底的表面形成有凹凸，
在所述成膜工序中，针对所述基底的凹凸保形地对所述硅膜进行成膜。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的硅膜的成膜方法，其中，
在所述基底的表面形成有凹凸，
在所述蚀刻工序中，对成膜到所述基底的凹凸的所述硅膜保形地进行蚀刻。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的硅膜的成膜方法，其中，
所述成膜工序和所述蚀刻工序在相同的处理室内连续地进行。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的硅膜的成膜方法，其中，
所述蚀刻工序以比所述成膜工序的温度高的温度进行。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的硅膜的成膜方法，其中，
所述蚀刻气体至少含有Br2气体、HBr气体、I2气体、HI气体中的任一者。
10.一种基板处理装置，其具备：
处理容器，其收容基板；
气体供给部件，其向所述处理容器内导入成膜气体和蚀刻气体；以及
控制部件，其进行控制，以便执行如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在所述基板之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
