[发明专利]硅膜的成膜方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。

技术领域

本发明涉及一种硅膜的成膜方法和基板处理装置。

背景技术

以往公知有如下方法：向基底供给氨基硅烷系气体而形成晶种层，向晶种层供给不含有氨基的硅烷系气体而形成硅膜，从而实现硅膜的薄膜化(参照例如专利文献1)。另外，公知有如下方法：在将非晶硅膜形成到基底之上之后，使用Cl₂气体来对非晶硅膜进行干蚀刻而使膜厚减少，从而实现非晶硅膜的薄膜化和表面的平滑化(参照例如专利文献2)。在该方法中，能够形成表面平滑性优异、不具有针孔的薄膜硅。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-127694号公报

专利文献2：日本特开2013-26513号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的方法中，难以应对进一步的薄膜化的要求而使硅膜薄膜化。

因此，在本发明的一形态中，目的在于提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一技术方案的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。

发明的效果

根据公开的硅膜的成膜方法，能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的立式热处理装置的一个例子的剖视图。

图2是用于说明图1的立式热处理装置的处理容器的图。

图3是表示本发明的实施方式的硅膜的成膜方法的一个例子的流程图。

图4是针孔的有无的评价方法的说明图。

图5是表示硅膜的表面SEM图像的图(1)。

图6是硅表示膜的表面SEM图像的图(2)。

图7是表示硅膜的表面SEM图像的图(3)。

图8是表示硅膜的表面SEM图像的图(4)。

图9是表示硅膜的膜厚与针孔数之间的关系的图。

图10是表示L&S图案的截面形状的图。

图11是表示蚀刻气体对a-Si膜的蚀刻速度的温度依赖性的图。

附图标记说明

201、硅基板；202、氧化膜；203、硅膜；204、针孔；205、凹部。

具体实施方式