[发明专利]三维存储器及形成三维存储器的方法

权利要求书

1.一种形成三维存储器的方法，所述方法包括：

提供第一半导体结构，所述第一半导体结构上具有衬底、位于衬底上的堆叠结构以及穿过所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔中具有垂直沟道结构；

形成穿过所述堆叠结构的绝缘孔，以及掺杂所述绝缘孔底部的衬底形成阵列共源极，每一绝缘孔周围围绕有沟道孔；

在所述绝缘孔中形成绝缘部，所述绝缘部与接触的衬底电绝缘；

从所述第一半导体结构的无源侧形成电连接至所述阵列共源极的导电接触。

2.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，在所述绝缘孔中形成绝缘部的步骤包括：对所述绝缘孔抽真空形成空气隙，并用绝缘材料密封所述空气隙的顶端。

3.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，在所述绝缘孔中形成绝缘部的步骤包括：用绝缘材料填充所述绝缘孔。

4.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述堆叠结构中的绝缘孔与周围的沟道孔排列成重复单元。

5.根据权利要求4所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述重复单元为正N边形结构，其中N为不小于3的自然数。

6.根据权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，从所述衬底的无源侧形成穿过所述阵列共源极的导电接触的步骤包括：对所述衬底进行打薄处理，形成与导电接触电连接的外围电路。

7.根据权利要求6所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述外围电路形成在所述第一半导体结构的无源侧上。

8.根据权利要求6所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述外围电路形成于第二半导体结构上，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构键合。

9.一种三维存储器，所述三维存储器包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构上具有衬底、位于衬底上的堆叠结构以及穿过所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔中具有垂直沟道结构；

穿过所述堆叠结构的绝缘孔，所述绝缘孔底部的衬底具有阵列共源极，每一绝缘孔周围围绕有沟道孔；

形成于所述绝缘孔中的绝缘部，所述绝缘部与接触的衬底电绝缘；

电连接所述阵列共源极与外围电路的导电接触，所述外围电路位于所述第一半导体结构的无源侧。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘部为空气隙。

11.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘部为填充于所述绝缘孔中的绝缘材料。

12.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构中的绝缘孔与周围的沟道孔排列成重复单元。

13.根据权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述重复单元为正N边形结构，其中N为不小于3的自然数。

14.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述外围电路形成在所述第一半导体结构的无源侧上。

15.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述外围电路形成于第二半导体结构上，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构键合。