[发明专利]一种非原位制备HoB2

权利要求书

1.一种非原位制备HoB₂C₂陶瓷涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、混粉：以HoB₄、Ho、C粉或HoB₄、HoC₂、C粉为原料粉，加入酒精为介质，通过球磨、静置干燥、过筛得到混合均匀的粉料；

S2、热压烧结制备靶材：将粉料装入模具，然后冷压成型，之后放入热压炉中进行热压烧结，通入流动的Ar气，温度为700~1000℃，施加压力为30~50MPa，保温时间为0.5~2h，得到Ho-B-C块体；

S3、制备Ho-B-C非晶涂层：以Ho-B-C块体作为靶材，采用磁控溅射或多弧离子镀沉积涂层，制备Ho-B-C非晶涂层；

S4、热处理：对Ho-B-C非晶涂层热处理，在保护性气氛中于800~1200^oC保温1~20h，降温之后获得以HoB₂C₂为主相的涂层；

所述原料粉的配比满足Ho、B、C的摩尔比为1：（1.8~2.2）：（1.8~2.2）；

所述磁控溅射为：将沉积腔室抽真空至（1.0~3.0）×10^-4Pa，之后通入氩气，使系统工作压力为0.2~1.0Pa，电源功率密度为20~100W/cm²；

所述多弧离子镀为：将沉积腔室抽真空至（4.0~5.0）×10^-3Pa，通入氩气，对基片施加400~600V的负偏压，清洗基片，之后调节系统工作气压为0.2~0.6Pa，靶材电流为70~100A进行沉积镀膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原料粉的粒度为200~300目。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冷压成型的压力为5~20MPa。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热压烧结的起始施加压力的温度为100~200^oC，施加压力速度为0.1~1MPa/分钟，升温速率为5~20^oC/分钟，期间通入流动的Ar气。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理的升温速率为1~20^oC/分钟，所述保护性气氛为真空或者Ar气。