[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上的成膜装置。成膜室(12)具有用以捕获粒子的粒子捕获部，对该粒子捕获部实施滚花加工，在该滚花加工后实施空气喷射加工，且在该空气喷射加工后实施熔射加工。通过熔射加工使粒子捕获部的表面变得比通过空气喷射加工而形成的表面的粗糙度更粗。因此，可使附着粒子的面积变大，从而捕获更多的粒子，由此可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上。

技术领域

本发明涉及一种用以进行将成膜材料成膜于被成膜材料上的处理的成膜装置。

背景技术

目前，在制造液晶面板时，通过光刻法在作为绝缘性基板的玻璃基板的表面上形成导电膜或绝缘膜而对TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等半导体元件进行图案化。在下述专利文献1中记载了一种成膜装置，其通过导电膜或绝缘膜的成膜材料在玻璃基板等被成膜材料的表面形成薄膜。该成膜装置具有如下构成：使离子碰撞成膜材料，由此通过使飞出的成膜材料的粒子沉积于被成膜材料的表面，形成成膜材料的薄膜。在此种成膜装置中，飞出的成膜材料的粒子除了附着于被成膜材料上以外，还附着于成膜室内的其他各处。而且，自先前便存在如下问题：已附着于该成膜室内的成膜材料的沉积膜的一部分(所谓粒子)剥离后而附着于被成膜材料上，导致成膜质量降低。

因此，在下述专利文献1中所记载的成膜装置中，为了抑制粒子附着于被成膜材料上而在成膜室内设置粒子捕获板，该粒子捕获板通过滚花加工而在其表面形成了第一凹凸，且在该滚花加工后通过空气喷射加工而形成了第二凹凸。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本专利特开2013-133522号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

上述专利文献1中所记载的成膜装置并不能完全的防止粒子的剥离，期望抑制粒子附着于被成膜材料上的功能进一步提高。本发明是鉴于此种情况而完成的，其目的在于提供可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上的成膜装置。

解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的成膜装置是具有成膜室，在该成膜室内进行用以将成膜材料成膜于被成膜材料上的处理的成膜装置，其特征在于，所述成膜室具有用以捕获粒子的粒子捕获部，对该粒子捕获部实施了滚花加工，在该滚花加工后实施了空气喷射加工，且在该空气喷射加工后实施了熔射加工。

设为此种构成的成膜装置可通过熔射加工使粒子捕获部的表面变得比通过空气喷射加工而形成的表面的粗糙度更粗。因此，该构成的成膜装置可使附着粒子的面积变大，从而捕获更多的粒子，由此可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上。

在上述构成中，可设为如下的构成：所述粒子捕获部在所述熔射加工中熔射铝。

通过采用铝熔射，可廉价地将粒子捕获部的表面设为适当的粗糙度。此外，该粒子捕获部的表面的粗糙度优选算术平均粗糙度Ra为10μm以上、40μm以下，更优选为25μm以上、30μm以下。此外，通过空气喷射加工而形成的表面，算术平均粗糙度Ra为10μm以下。

另外，在上述构成中，可设为如下的构成：该成膜装置具有覆盖该成膜材料的周边以防止溅射所述成膜材料以外的材料的屏蔽构件，将该屏蔽构件的表面作为所述粒子捕获部。

通过将靠近成膜材料的屏蔽构件的表面设为粒子捕获部，可有效地捕获粒子。

在上述构成中，可设为如下的构成：该成膜装置为了在所述被成膜材料的规定范围中形成成膜材料的膜，而具有覆盖该被成膜材料的规定范围以外的掩模构件，将该掩模构件的表面作为所述粒子捕获部。

在被成膜材料周边，当然容易分散粒子，因此通过将被成膜材料周边的掩模构件的表面设为粒子捕获部，可有效地捕获粒子。