[发明专利]包括多高度单元的集成电路和制造集成电路的方法在审
申请号: | 201910148266.3 | 申请日: | 2019-02-27 |
公开(公告)号: | CN110504263A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 都桢湖;柳志秀;俞炫圭;李昇映;李在鹏 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L27/02 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 潘军<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力线 水平方向延伸 延伸 集成电路 | ||
1.一种集成电路,包括:
在第一行中的第一单元,所述第一行在第一水平方向上延伸;
在第二行中的第二单元,所述第二行与所述第一行相邻并且在所述第一水平方向上延伸;
在所述第一行和所述第二行中连续延伸的第三单元;
其中,所述第一单元和所述第二单元包括在所述第一水平方向上延伸的第一电力线的相应部分,
其中,所述第三单元包括在所述第一行中电连接到所述第一电力线并在所述第一水平方向上延伸的第二电力线,并且其中,所述第二行没有所述第二电力线。
2.根据权利要求1所述的集成电路,还包括接口单元,所述接口单元包括在所述第一行和所述第二行中连续延伸的互连,所述互连与所述第三单元相邻并且将所述第一电力线连接到所述第二电力线,
其中,所述互连的至少一部分在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其中,所述互连的所述至少一部分包括在所述第二水平方向上延伸的接触部、栅极线或金属图案中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一单元和所述第三单元彼此相邻地布置,并且在所述第一单元和所述第三单元之间的边界处共享在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸的栅极线,所述栅极线电连接到所述第一电力线和所述第二电力线。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一单元和所述第三单元包括在所述第一水平方向上延伸的第三电力线的相应部分,并且所述第二单元和所述第三单元包括在所述第一水平方向上延伸的第四电力线的相应部分。
6.根据权利要求5所述的集成电路,其中,所述第一电力线和所述第二电力线被配置为被施加第一电源电压,并且所述第三电力线和所述第四电力线被配置为被施加第二电源电压。
7.根据权利要求5所述的集成电路,其中,所述第三单元在所述第二电力线与所述第四电力线的相应部分之间包括晶体管、输入引脚或输出引脚中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第三单元包括在所述第一水平方向上彼此平行延伸的第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区,其中,所述第一有源区的至少一部分在所述第一行中并且所述第二有源区的至少一部分在所述第二行中。
9.根据权利要求8所述的集成电路,还包括:在所述第一单元和所述第三单元之间以及在所述第二单元和所述第三单元之间在所述第一行和所述第二行中连续延伸的接口单元,
其中,在所述接口单元中,所述第三单元的所述第一有源区以及所述第一单元中包括的所述第二导电类型的有源区在所述第一水平方向上彼此分离,并且所述第三单元的所述第二有源区以及所述第二单元中包括的所述第一导电类型的有源区在所述第一水平方向上彼此分离。
10.根据权利要求8所述的集成电路,还包括:在所述第一单元和所述第三单元之间以及在所述第二单元和所述第三单元之间在所述第一行和所述第二行中连续延伸的接口单元,
其中,所述接口单元包括第三有源区或第四有源区中的至少一个,
其中,所述第三有源区将所述第一有源区连接到所述第一单元中包括的所述第一导电类型的有源区,
其中,所述第四有源区将所述第二有源区连接到所述第二单元中包括的所述第二导电类型的有源区。
11.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:
电连接到所述第一电力线的第一上部电力线,所述第一上部电力线在所述第一电力线上方在所述第一水平方向上延伸;以及
电连接到所述第二电力线的第二上部电力线,所述第二上部电力线在所述第二电力线上方在所述第一水平方向上延伸。
12.根据权利要求11所述的集成电路,其中,所述第一上部电力线跨越所述第三单元在所述第一水平方向上延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的