[发明专利]包括多高度单元的集成电路和制造集成电路的方法在审
申请号: | 201910148266.3 | 申请日: | 2019-02-27 |
公开(公告)号: | CN110504263A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 都桢湖;柳志秀;俞炫圭;李昇映;李在鹏 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L27/02 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 潘军<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力线 水平方向延伸 延伸 集成电路 | ||
一种集成电路,包括:布置在沿第一水平方向延伸的第一行中的第一单元,布置在与第一行相邻的第二行中的第二单元,以及连续地布置在第一行和第二行中的第三单元。第一单元和第二单元包括在第一水平方向上延伸的第一电力线的相应部分,第三单元包括在第一行中电连接到第一电力线并且在第一水平方向上延伸的第二电力线。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年5月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0057324的优先权,该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。
技术领域
本发明构思涉及一种集成电路,更具体地,涉及包括多高度单元的集成电路和制造该集成电路的方法。
背景技术
可以减小集成电路中包括的单元的大小,以提高集成电路的集成度。由于单元的大小减小,单元的驱动电流能力可能会降低,因此在保持或以其他方式提供相同的驱动电流能力的同时具有不同面积的各种类型的单元可以包括在集成电路中。另外,单元的大小减小可能会增加单元内的布线难度,并且具有较复杂结构的单元可能具有布线所需的扩展区域。
发明内容
本发明构思提供了一种包括多高度单元的集成电路,更具体地,通过具有独立于单高度单元的结构的结构来提供更高的效率的包括多高度单元的集成电路,以及制造该集成电路的方法。
根据本发明构思的一个方面,提供了一种集成电路,包括:布置在第一行中的第一单元,所述第一行在第一水平方向上延伸;布置在与所述第一行相邻的第二行中的第二单元;以及连续地布置在所述第一行和所述第二行中的第三单元,其中,所述第一单元和所述第二单元共享或包括在所述第一水平方向上延伸的第一电力线的相应部分,并且所述第三单元包括在所述第一行中的电连接到所述第一电力线并在所述第一水平方向上延伸的第二电力线。所述第二行可以没有所述第二电力线。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种集成电路,包括:布置在第一行中的第一单元,所述第一行在第一水平方向上延伸;布置在与所述第一行相邻的第二行中的第二单元;以及连续地布置在所述第一行和所述第二行中的第三单元,其中,所述第三单元包括在所述第一水平方向上彼此平行延伸的并且分别具有第一导电类型和第二导电类型的第一有源区和第二有源区,其中,所述第一有源区包括布置在所述第一行中的至少一部分,所述第二有源区包括布置在所述第二行中的至少一部分。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种集成电路,包括:单高度单元,布置在沿第一水平方向延伸的第一行中并且包括在所述第一水平方向上延伸的第一有源区,所述单高度单元具有第一导电类型;多高度单元,连续地布置在所述第一行和与所述第一行相邻的第二行中,所述多高度单元包括在所述第一水平方向上延伸并且具有第二导电类型的第二有源区,其中,所述第一有源区的一部分在所述第一水平方向上与所述第二有源区相对。
附图说明
所附附图为了便于说明而并非按比例绘制,并且可能在大小上被放大或缩小。根据以下结合附图进行的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的实施例,在附图中:
图1示出了根据一些实施例的单元的平面图;
图2示出了根据一些实施例的单元的平面图;
图3是示出了根据一些实施例的集成电路的布局的平面图;
图4A至图4C是示出了根据一些实施例的集成电路的布局的平面图;
图5A和图5B是示出了根据一些实施例的集成电路的布局的平面图;
图6A至图6D是示出了根据一些实施例的集成电路的布局的平面图;
图7A和图7B分别是示出了根据一些实施例的集成电路的布局的平面图和透视图;
图8A和图8B是示出了根据一些实施例的集成电路的布局的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的