[发明专利]针对存储器设备定制编程脉冲期间的电流幅度和持续时间在审
申请号: | 201910148338.4 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN110322909A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | K·班纳吉;L·刘;S·兰格恩 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C8/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘瑜;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器单元 电流幅度 存储器控制器 编程 存储器设备 位线解码器 编程脉冲 电气距离 脉冲期间 脉冲选择 时间描述 写入周期 脉冲 字线 存取 施加 响应 | ||
1.一种存储器设备,包括:
存储器单元的阵列;以及
存储器控制器,其具有:
用于接收对所述存储器单元的阵列内的存储器单元进行编程的请求的单元;
用于基于所述存储器单元的存取极性、所述存储器单元的先前写入周期的数量以及所述存储器单元与所述存储器单元的阵列内的字线/位线解码器之间的电气距离来针对编程设定脉冲选择电流幅度和所述电流幅度的持续时间的单元;以及
用于响应于所述请求而启动所述编程设定脉冲以对所述存储器单元的阵列内的所述存储器单元进行编程的单元,其中,所选择的电流幅度和所选择的所述电流幅度的持续时间在所述编程设定脉冲期间被施加。
2.如权利要求1所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:
用于基于所述存取极性、所述先前写入周期的数量以及所述电气距离来针对多阶段编程设定脉冲的终止阶段选择所述电流幅度和所述电流幅度的持续时间的单元,其中,所选择的电流幅度和所选择的所述电流幅度的持续时间在所述多阶段编程设定脉冲的终止阶段期间被施加。
3.如权利要求1所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:
用于基于所述存取极性、所述先前写入周期的数量以及所述电气距离来针对矩形编程设定脉冲选择所述电流幅度和所述电流幅度的持续时间的单元,其中,所选择的电流幅度和所选择的所述电流幅度的持续时间在所述矩形编程设定脉冲期间被施加。
4.如权利要求1所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:
用于当所述存储器单元的存储器地址与正极性平台相关联时确定所述存储器单元的存取极性为正的单元;
用于当所述存储器单元的存储器地址与负极性平台相关联时确定所述存储器单元的存取极性为负的单元;以及
用于根据所述存取极性为正或所述存取极性为负来选择在所述编程设定脉冲期间的所述电流幅度和所述电流幅度的持续时间的单元。
5.如权利要求4所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:用于当所述存储器单元的存取极性为负时,针对所述编程设定脉冲选择与当所述存储器单元的存取极性为正时相比增加的电流幅度和增加的所述电流幅度的持续时间的单元。
6.如权利要求1所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:
用于确定所述存储器单元的先前写入周期的数量的单元;以及
用于取决于所述存储器单元的先前写入周期的数量来针对所述编程设定脉冲选择增加的电流幅度或降低的电流幅度的单元。
7.如权利要求1所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:
用于确定所述存储器单元与所述存储器单元的阵列内的所述字线/位线解码器之间的所述电气距离的单元;以及
用于根据所述存储器单元与所述字线/位线解码器之间的所述电气距离小于限定的阈值或大于限定的阈值来针对所述编程设定脉冲选择所述电流幅度的单元。
8.如权利要求7所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:
用于当所述存储器单元与所述字线/位线解码器之间的所述电气距离大于所述限定的阈值从而指示所述存储器单元位于相对远离所述字线/位线解码器处时,针对所述编程设定脉冲选择降低的电流幅度的单元;或者
用于当所述存储器单元与所述字线/位线解码器之间的所述电气距离小于所述限定的阈值从而指示所述存储器单元位于相对接近所述字线/位线解码器处时,针对所述编程设定脉冲选择增加的电流幅度的单元。
9.如权利要求1所述的存储器设备,其中,所述存储器控制器还包括:用于启动用于存储器堆栈的所述编程设定脉冲的单元,所述存储器堆栈包括可编程存储器元件(PM)和选择设备(SD)。
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