[发明专利]针对存储器设备定制编程脉冲期间的电流幅度和持续时间

说明书

描述了用于存储器设备的技术。存储器设备可以包括存储器单元的阵列和存储器控制器。存储器控制器可以接收对存储器单元的阵列内的存储器单元进行编程的请求。存储器控制器可以基于存储器单元的存取极性、存储器单元的先前写入周期的数量以及存储器单元与存储器单元的阵列内的字线/位线解码器之间的电气距离来针对编程设定脉冲选择电流幅度和电流幅度的持续时间。存储器控制器可以响应于该请求而启动编程设定脉冲，以对存储器单元的阵列内的存储器单元进行编程。可以在编程设定脉冲期间施加所选择的电流幅度和所选择的电流幅度的持续时间。

背景技术

存储器设备典型地作为计算机或其他电子设备中的内部、半导体、集成电路而提供。存在许多不同类型的存储器，包括诸如动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)之类的易失性存储器，以及诸如闪速存储器之类的非易失性存储器。

闪速存储器设备典型地使用单晶体管存储器单元，其允许高存储器密度、高可靠性和低功耗。通过对电荷存储节点编程(例如，浮动栅极或电荷俘获)而导致的单元的阈值电压的变化确定每个单元的数据状态。诸如相变(PRAM)之类的其他非易失性存储器使用诸如物理材料改变或极化之类的其他物理现象来确定每个单元的数据状态。闪存和其他固态存储器的常见用途包括个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线设备、蜂窝电话和可移除便携式存储器模块等。

附图说明

结合附图考虑，技术实施例的特征和优点将从以下详细描述中变得显而易见，附图与详细描述一起通过示例的方式示出了各种技术特征；并且其中：

图1A示出了根据示例实施例的用于包括选择设备(SD)和可编程存储器(PM)的存储器堆栈的传统多阶段编程设定过程；

图1B示出了根据示例实施例的用于包括选择设备(SD)和可编程存储器(PM)的存储器堆栈的新颖多阶段编程设定过程；

图2A示出了根据示例实施例的用于单个非晶硫属化合物存储器的传统矩形编程设定脉冲；

图2B示出了根据示例实施例的用于单个非晶硫属化合物存储器的新颖矩形编程设定脉冲；

图3是示出根据示例实施例的用于基于存储器单元的存取极性、存储器单元的先前写入周期的数量以及存储器单元的解码器距离来施加编程脉冲的技术的流程图；

图4示出了根据示例实施例的取决于存储器单元的存取极性的编程设定脉冲的电流幅度；

图5示出了根据示例实施例的取决于存储器单元的存取极性的编程设定脉冲的电流幅度的持续时间；

图6示出了根据示例实施例的取决于存储器单元的先前写入周期的数量的编程设定脉冲的电流幅度；

图7示出了根据示例实施例的取决于存储器单元的解码器距离的编程设定脉冲的电流幅度；

图8示出了根据示例实施例的包括存储器设备的计算系统；

图9是示出根据示例实施例的用于启动编程设定脉冲以对存储器单元进行编程的操作的流程图；并且

图10示出了根据示例实施例的包括数据存储设备的计算系统。

现在将参考所示出的示例性实施例，并且本文中将使用特定语言来描述所示出的示例性实施例。然而应理解，不会由此旨在限制技术范围。

具体实施方式

在描述所公开的技术实施例之前，应理解本公开不限于本文公开的特定结构、过程步骤或材料，而是如相关领域普通技术人员所认识到的扩展到其等同物。还应理解，本文采用的术语仅用于描述特定示例或实施例的目的，而不旨在是限制性的。不同附图中的相同附图标记表示相同元素。提供在流程图和过程中提供的数字是为了清楚地说明步骤和操作，而并不一定指示特定的次序或序列。