[发明专利]对准记号图案及包含其的晶片结构在审
申请号: | 201910148762.9 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN111627887A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 吴润哲;蒋经华;梁文魁;陈明瑜 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛;任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 记号 图案 包含 晶片 结构 | ||
1.一种对准记号图案,其特征在于,包括:
一第一区,包括复数条第一线段与多个第一间隙,彼此交替排列,以一第一方向延伸,其中所述第一线段的宽度与所述第一间隙的宽度不同;
一第二区,包括复数条第二线段与多个第二间隙,彼此交替排列,以所述第一方向延伸,所述第二区与所述第一区对角设置,其中所述第二线段的宽度与所述第二间隙的宽度不同;
一第三区,包括复数条第三线段与多个第三间隙,彼此交替排列,以一第二方向延伸,所述第二方向垂直于所述第一方向,所述第三区与所述第一区及所述第二区相邻,其中所述第三线段的宽度与所述第三间隙的宽度不同;以及
一第四区,包括复数条第四线段与多个第四间隙,彼此交替排列,以所述第二方向延伸,所述第四区与所述第三区对角设置,所述第四区与所述第一区及所述第二区相邻,其中所述第四线段的宽度与所述第四间隙的宽度不同。
2.如权利要求1所述的对准记号图案,其特征在于,一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于或小于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和。
3.如权利要求2所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米,一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和介于10-25微米。
4.如权利要求3所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度介于1.8-12.8,一第一间隙的宽度介于6.3-24.8,且所述第一间隙的宽度大于所述第一线段的宽度,一第二线段的宽度介于1-12微米,一第二间隙的宽度介于5.5-24微米,且所述第二间隙的宽度大于所述第二线段的宽度。
5.如权利要求2所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和小于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和介于10-25微米,一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米。
6.如权利要求5所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和小于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度介于1-12,一第一间隙的宽度介于5.5-24,且所述第一间隙的宽度大于所述第一线段的宽度,一第二线段的宽度介于1.8-12.8微米,一第二间隙的宽度介于6.3-24.8微米,且所述第二间隙的宽度大于所述第二线段的宽度。
7.如权利要求1所述的对准记号图案,其特征在于,一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和大于或小于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和。
8.如权利要求7所述的对准记号图案,其特征在于,当一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和大于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和时,一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米,一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和介于10-25微米。
9.如权利要求8所述的对准记号图案,其特征在于,当一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和大于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和时,一第三线段的宽度介于1.8-12.8,一第三间隙的宽度介于6.3-24.8,且所述第三间隙的宽度大于所述第三线段的宽度,一第四线段的宽度介于1-12微米,一第四间隙的宽度介于5.5-24微米,且所述第四间隙的宽度大于所述第四线段的宽度。
10.如权利要求7所述的对准记号图案,其特征在于,当一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和小于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和时,一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和介于10-25微米,一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米。
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