[发明专利]对准记号图案及包含其的晶片结构在审

专利信息
申请号: 201910148762.9 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN111627887A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 吴润哲;蒋经华;梁文魁;陈明瑜 申请(专利权)人: 世界先进积体电路股份有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;任默闻
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 对准 记号 图案 包含 晶片 结构
【权利要求书】:

1.一种对准记号图案,其特征在于,包括:

一第一区,包括复数条第一线段与多个第一间隙,彼此交替排列,以一第一方向延伸,其中所述第一线段的宽度与所述第一间隙的宽度不同;

一第二区,包括复数条第二线段与多个第二间隙,彼此交替排列,以所述第一方向延伸,所述第二区与所述第一区对角设置,其中所述第二线段的宽度与所述第二间隙的宽度不同;

一第三区,包括复数条第三线段与多个第三间隙,彼此交替排列,以一第二方向延伸,所述第二方向垂直于所述第一方向,所述第三区与所述第一区及所述第二区相邻,其中所述第三线段的宽度与所述第三间隙的宽度不同;以及

一第四区,包括复数条第四线段与多个第四间隙,彼此交替排列,以所述第二方向延伸,所述第四区与所述第三区对角设置,所述第四区与所述第一区及所述第二区相邻,其中所述第四线段的宽度与所述第四间隙的宽度不同。

2.如权利要求1所述的对准记号图案,其特征在于,一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于或小于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和。

3.如权利要求2所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米,一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和介于10-25微米。

4.如权利要求3所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度介于1.8-12.8,一第一间隙的宽度介于6.3-24.8,且所述第一间隙的宽度大于所述第一线段的宽度,一第二线段的宽度介于1-12微米,一第二间隙的宽度介于5.5-24微米,且所述第二间隙的宽度大于所述第二线段的宽度。

5.如权利要求2所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和小于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和介于10-25微米,一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米。

6.如权利要求5所述的对准记号图案,其特征在于,当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和小于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时,一第一线段的宽度介于1-12,一第一间隙的宽度介于5.5-24,且所述第一间隙的宽度大于所述第一线段的宽度,一第二线段的宽度介于1.8-12.8微米,一第二间隙的宽度介于6.3-24.8微米,且所述第二间隙的宽度大于所述第二线段的宽度。

7.如权利要求1所述的对准记号图案,其特征在于,一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和大于或小于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和。

8.如权利要求7所述的对准记号图案,其特征在于,当一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和大于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和时,一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米,一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和介于10-25微米。

9.如权利要求8所述的对准记号图案,其特征在于,当一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和大于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和时,一第三线段的宽度介于1.8-12.8,一第三间隙的宽度介于6.3-24.8,且所述第三间隙的宽度大于所述第三线段的宽度,一第四线段的宽度介于1-12微米,一第四间隙的宽度介于5.5-24微米,且所述第四间隙的宽度大于所述第四线段的宽度。

10.如权利要求7所述的对准记号图案,其特征在于,当一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和小于一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和时,一第三线段的宽度与一第三间隙的宽度的总和介于10-25微米,一第四线段的宽度与一第四间隙的宽度的总和介于11.6-26.6微米。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司,未经世界先进积体电路股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910148762.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top