[发明专利]对准记号图案及包含其的晶片结构

说明书

本发明提供一种对准记号图案及包含其的晶片结构，对准记号图案包括：第一区，包括第一线段与第一间隙，第一线段以第一方向延伸，第一线段与第一间隙的宽度不同；第二区，包括第二线段与第二间隙，第二线段以第一方向延伸，第二区与第一区对角设置，且第二线段与第二间隙的宽度不同；第三区，包括第三线段与第三间隙，第三线段以垂直于第一方向的第二方向延伸，第三区与第一区及第二区相邻，且第三线段与第三间隙的宽度不同；以及第四区，包括第四线段与第四间隙，第四线段以第二方向延伸，第四区与第三区对角设置，第四区与第一区及第二区相邻，且第四线段与第四间隙的宽度不同。本发明具有改善对准记号曝光讯号信号撷取不良及降低成本的效果。

技术领域

本发明是有关于一种对准记号图案，特别是有关于一种包含不同线段(line)/间隙(space)尺寸的对准记号图案(alignment mark pattern)。

背景技术

传统外延工艺对于对准记号(alignment mark)曝光信号的撷取有很大的影响，若在实施多次外延工艺的情况下，外延层厚度逐渐增加，将影响步进电机(stepper)对于对准记号曝光信号的撷取，而造成晶片退回(wafer reject)或叠对偏移(overlay shift)等严重工艺缺失。由于未来客制化的趋势，举凡增加外延工艺次数或提升外延层厚度均是重要考量，而此需求势必严重影响步进电机对于对准记号曝光信号的撷取效果。

目前，以在不同外延层上重复制作多个对准记号的方式试图解决上述曝光信号撷取不良的问题，然而，由于增加对准记号的同时也必需增加多个相关的微影工艺，因此，已造成生产成本大幅提高及需耗费更多工艺时间等负面结果。

因此，开发一种即便在实施多次外延工艺情况下仍不需重复制作的对准记号图案是众所期待的。

发明内容

根据本发明的一实施例，提供一种对准记号图案，包括：一第一区，包括复数条第一线段与多个第一间隙，彼此交替排列，以一第一方向延伸，其中该第一线段的宽度与该第一间隙的宽度不同；一第二区，包括复数条第二线段与多个第二间隙，彼此交替排列，以该第一方向延伸，该第二区与该第一区对角设置，其中该第二线段的宽度与该第二间隙的宽度不同；一第三区，包括复数条第三线段与多个第三间隙，彼此交替排列，以一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向，该第三区与该第一区及该第二区相邻，其中该第三线段的宽度与该第三间隙的宽度不同；以及一第四区，包括复数条第四线段与多个第四间隙，彼此交替排列，以该第二方向延伸，该第四区与该第三区对角设置，该第四区与该第一区及该第二区相邻，其中该第四线段的宽度与该第四间隙的宽度不同。

在部分实施例中，一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于或小于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和。

在部分实施例中，当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时，一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大约介于11.6-26.6微米，一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和大约介于10-25微米。在部分实施例中，当一第一线段的宽度与一第一间隙的宽度的总和大于一第二线段的宽度与一第二间隙的宽度的总和时，一第一线段的宽度大约介于1.8-12.8，一第一间隙的宽度大约介于6.3-24.8，且该第一间隙的宽度大于该第一线段的宽度，一第二线段的宽度大约介于1-12微米，一第二间隙的宽度大约介于5.5-24微米，且该第二间隙的宽度大于该第二线段的宽度。