[发明专利]显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板，

设置在所述衬底基板上的多个像素单元，各所述像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件；

在沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向，所述开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧，所述重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧；所述开关薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接，所述重置薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接，所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述有机发光器件耦接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括相互绝缘的多条栅极线、多条数据线、多条重置信号线和多条电源信号线；

各所述开关薄膜晶体管的栅极连接所述栅极线，各所述开关薄膜晶体管的源极连接所述数据线；各所述驱动薄膜晶体管的源极连接所述电源信号线；各所述重置薄膜晶体管的栅极连接所述重置信号线，各所述重置薄膜晶体管的源极连接重置电压信号。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括沿垂直于所述衬底基板的方向依次设置于所述衬底基板上的第一金属层、第二金属层、第三金属层、氧化物沟道层、第四金属层和第五金属层；

所述驱动薄膜晶体管的栅极位于所述第一金属层，源极和漏极位于所述第二金属层；所述开关薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管的栅极位于所述第三金属层，所述开关薄膜晶体管的源极位于所述第四金属层，所述重置薄膜晶体管的源极位于所述第五金属层；所述开关薄膜晶体管的漏极位于所述氧化物沟道层与所述衬底基板之间，所述重置薄膜晶体管的漏极位于所述氧化物沟道层与所述第一金属层之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括第一金属线，所述第一金属线位于所述开关薄膜晶体管的氧化物沟道层远离所述衬底基板的一侧；

所述第一金属线通过第一过孔与所述开关薄膜晶体管的氧化物沟道层电连接，所述第一金属线与所述开关薄膜晶体管的栅极和漏极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠，所述开关薄膜晶体管的源极和栅极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属线在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述开关薄膜晶体管的漏极。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属线与所述开关薄膜晶体管的源极位于不同膜层。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属线位于所述第五金属层。

9.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管的栅极复用为所述开关薄膜晶体管的漏极。

10.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括第二金属线，所述第二金属线位于所述重置薄膜晶体管的氧化物沟道层远离所述衬底基板的一侧；

所述第二金属线通过第二过孔与所述重置薄膜晶体管的氧化物沟道层电连接，所述第二金属线与所述重置薄膜晶体管的栅极和漏极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠，所述重置薄膜晶体管的源极和栅极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属线在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述重置薄膜晶体管的漏极。

12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属线与所述重置薄膜晶体管的源极位于不同膜层。