[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910149465.6 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109742131B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 张卿;姚绮君;苏晓越 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,包括:衬底基板,设置在衬底基板上的多个像素单元,各像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件;在沿垂直于衬底基板所在平面的方向,开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧,重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧;开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极电连接,重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极电连接,驱动薄膜晶体管的漏极与有机发光器件耦接。如此方案,有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积,有利于实现高PPI设计。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着科学技术的发展,带有显示面板的显示装置的用途越来越广泛,使得人们对显示面板的要求越来越多样化,不再只满足于显示面板的大尺寸、高清晰度等常规的性能指标,也对显示面板的PPI(Pixels Per Inch)有了较高的要求。
显示面板的PPI是图像分辨率的单位,表示的是显示面板的每英寸所拥有的像素(Pixel)数目,当显示面板的PPI达到一定数值时,人眼就分辨不出颗粒感了。现有技术中,为配合像素正常发光,会在显示面板上引入一系列的电路结构,电路结构所占用的空间对PPI有直接的影响,因此,如何实现显示面板的高PPI设计成为现阶段亟待解决的技术问题之一。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板及显示装置,将开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管的源漏极设置在栅极的两侧,有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积,节约的空间使显示面板能够设置更多的像素单元,因而有利于实现显示面板及显示装置的高PPI设计。
第一方面,本申请提供了一种显示面板,包括:
衬底基板,
设置在所述衬底基板上的多个像素单元,各所述像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件;
在沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向,所述开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧,所述重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧;所述开关薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接,所述重置薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接,所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述有机发光器件耦接。
第二方面,本申请提供了一种显示装置,包括显示面板,该显示面板为本申请实所提供的任意显示面板。
与现有技术相比,本发明提供的显示面板及显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请所提供的显示面板及显示装置,在每个像素单元中设置有驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管,由于开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极电连接,重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极电连接,本申请将开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于其栅极的两侧,并将重置薄膜晶体管的源极和漏极也分别位于其栅极的两侧时,开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极之间无需通过跨桥进行连接,重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极之间也无需通过跨桥进行连接,如此有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积,节约的空间使显示面板能够设置更多的像素单元,因而有利于实现显示面板及显示装置的高PPI设计,进而有利于提升显示面板及显示装置的分辨率,使显示图像更加精细、清晰。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的