[发明专利]基于自适应校准的存储器预设调节在审

专利信息
申请号: 201910149651.X 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN110322910A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: P.S.达姆勒;房伟;A.法齐奥 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C7/20 分类号: G11C7/20;G11C16/34;G11C29/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 郑瑾彤;申屠伟进
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器单元 存储器单元 存储器阵列 存储器 自适应 预设 复位状态 校准 裕度 置位 控制器周期性 存储器设备 存储数据 电阻状态 数据存储 置位状态 耦合到 采样 复位 电阻 响应 检测
【权利要求书】:

1.一种计算设备,包括:

存储器阵列,具有多个非易失性存储器单元,其将数据存储为存储器单元的置位或复位状态;以及

耦合到存储器阵列的控制器,所述控制器要周期性地对存储器阵列的存储器单元的置位和复位裕度进行采样,并且响应于检测到裕度变化,所述控制器要自适应地调节用于区分存储器单元的置位状态和复位状态的预设访问设置。

2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,所述非易失性存储器单元包括基于电阻状态来存储数据的三维交叉点阵列的存储器单元。

3.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,所述预设设置包括用于电压属性、或电流属性、或定时属性的电气设置的调整值。

4.根据权利要求3所述的存储器设备,其中,所述预设电气设置包括用于分界电压(Vdm)的电压调整。

5.根据权利要求3所述的存储器设备,其中,所述预设电气设置包括用于写电流的调整值。

6.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,检测到裕度变化包括检测到读重试率高于阈值。

7.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,检测到裕度变化包括检测到位错误数大于阈值。

8.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,所述存储器阵列包括第一管芯的第一存储器阵列,并且还包括第二存储器管芯的第二存储器阵列,其中所述控制器要针对第一和第二管芯独立地自适应地调节预设电气设置。

9.一种系统,包括:

系统存储器总线;

耦合到系统存储器总线的易失性存储器设备,其要提供对易失性存储器介质的可字节寻址的随机访问;以及

耦合到系统存储器总线的非易失性存储器设备,其要提供对非易失性存储器介质的可字节寻址的随机访问,所述非易失性存储器设备包括:

存储器阵列,具有多个存储器单元,其将数据存储为存储器单元的置位或复位状态;以及

耦合到存储器阵列的控制器,所述控制器要周期性地对存储器阵列的存储器单元的置位和复位裕度进行采样,并且响应于检测到裕度变化,所述控制器要自适应地调节用于区分存储器单元的置位状态和复位状态的预设访问设置。

10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述非易失性存储器单元包括基于电阻状态来存储数据的三维交叉点阵列的存储器单元。

11.根据权利要求9所述的系统,其中,所述预设设置包括用于电压属性、或电流属性、或定时属性的电气设置的调整值。

12.根据权利要求11所述的系统,其中,所述预设电气设置包括用于读电压的电压调整。

13.根据权利要求11所述的系统,其中,所述预设电气设置包括用于写电流的调整值。

14.根据权利要求9所述的系统,其中,检测到裕度变化包括检测到读重试率高于阈值。

15.根据权利要求9所述的系统,其中,检测到裕度变化包括检测到位错误数大于阈值。

16.根据权利要求9所述的系统,其中,所述存储器阵列包括第一管芯的第一存储器阵列,并且还包括第二存储器管芯的第二存储器阵列,其中所述控制器要针对第一和第二管芯独立地自适应地调节预设电气设置。

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