[发明专利]基于自适应校准的存储器预设调节

说明书

本发明涉及基于自适应校准的存储器预设调节。一种存储器设备包括具有多个非易失性存储器单元的存储器阵列，所述非易失性存储器单元将数据存储为存储器单元的置位或复位状态。非易失性存储器单元可以是基于电阻的存储器，其基于存储器单元的电阻状态来存储数据。耦合到存储器阵列的控制器周期性地对存储器阵列的存储器单元的置位和复位裕度进行采样。响应于检测到裕度变化，该系统可以自适应地调节用于区分置位状态和复位状态的预设电气设置。

技术领域

描述通常涉及存储器子系统，并且更具体的描述涉及用于基于电阻的存储器的电气设置的校准。

背景技术

对与易失性主系统存储器结合地操作的非易失性存储器的兴趣逐渐增大。易失性存储器在被中断到其的电力时具有不确定状态，而非易失性存储器即使在被中断电力时也保持其状态。非易失性存储器通常比易失性存储器访问起来更慢，传统的非易失性存储器具有比易失性系统存储器慢至少一个数量级的访问速度。基于电阻的存储器设备的最新发展提供了非易失性的存储器，并且具有与易失性存储器的访问速度相当的访问速度，而不会慢上几个数量级。

基于电阻的非易失性存储器可能会随着时间的推移而降级。随着单元的循环，设备的行为可能改变。特别地，电气设置特性将在存储器设备的寿命期间改变，所述电气设置特性诸如访问电压水平或电流。具体的电气设置与引起期望的访问所需的值之间存在裕度。那些裕度可能随时间而漂移，这将导致预设或调整值无效。

附图说明

下面的描述包括对附图的讨论，其具有作为实施方式的示例给出的说明。附图应当被作为示例而非作为限制来理解。如在本文中所使用的，对一个或多个“示例”的引用要被理解为描述本发明的至少一个实施方式中包括的特定特征、结构和/或特性。本文中出现的诸如“在一个示例中”或“在替换示例中”之类的短语提供了本发明的实施方式的示例，而不一定都指代同一实施方式。然而，它们也不一定是相互排斥的。

图1是具有自适应调整控制逻辑的存储器子系统的示例的框图，该自适应调整控制逻辑用于设置针对非易失性介质的调整。

图2是具有自适应调整控制逻辑的系统的示例的框图，该自适应调整控制逻辑用于设置针对非易失性介质的调整。

图3是具有自适应调整控制的系统的示例的框图，该自适应调整控制用于调节针对基于电阻的存储器的预设值。

图4A-4B是具有针对预设值的自适应控制的系统的示例的图解表示，该针对预设值的自适应控制用于随时间变化进行调节以适应于电气参数行为中的漂移。

图5是用于向下调节值以避免复位失败的过程的示例的流程图。

图6是用于向上调节值以避免过度向下调节该值的过程的示例的流程图。

图7是可以在其中实现自适应裕度控制的存储器子系统的示例的框图。

图8是可以在其中实现具有自适应裕度控制的存储器的计算系统的示例的框图。

图9是可以在其中实现具有自适应裕度控制的存储器的移动设备的示例的框图。

以下是对某些细节和实施方式的描述，包括对附图的非限制性描述，所述附图可描绘一些或所有示例，以及其他潜在的实施方式。

具体实施方式

存储器设备包括具有多个基于电阻的存储器单元的存储器阵列。基于电阻的存储器基于存储器单元的电阻状态（置位或复位）来存储数据。电气设置裕度（诸如读电压写电流或其他电压和电流值）可以在设备的整个寿命期间进行调节。系统中的控制器可以提供对电气设置裕度的自适应校准以降低误码率，否则误码率将在存储器设备的寿命期间趋于增大。控制器耦合到存储器阵列，并且可以周期性地对存储器阵列的存储器单元的置位和复位裕度进行采样。响应于检测到裕度的变化，系统可以自适应地调节用于区分置位状态和复位状态的预设电气设置。