[发明专利]薄膜封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜封装结构，其包括基板、位于所述基板上的功能器件以及位于所述基板上并对所述功能器件进行封装的薄膜封装层，所述功能器件位于所述基板和所述薄膜封装层所形成的密闭空间内，其特征在于：所述薄膜封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机层和第二无机封装层，其中所述第一无机封装层比第二无机封装层更靠近所述功能器件设置，且所述第一无机封装层至少包括无机子层和金属氧化物层交替层叠形成的三层结构，所述无机子层与所述金属氧化物层材料不同。

2.如权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于：所述第一无机封装层包括金属氧化物层及沿所述薄膜封装层的层叠方向分置于其两侧的两层无机子层。

3.如权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于：所述第一无机封装层包括一层无机子层及沿所述薄膜封装层的层叠方向分置于其两侧的两层金属氧化物层。

4.如权利要求2或3所述的薄膜封装结构，其特征在于：所述金属氧化物层为致密性氧化物膜层；优选地，所述无机子层和/或第二无机封装层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述第二无机封装层为无机子层和金属氧化物层交替层叠形成的三层结构。

5.如权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于：所述金属氧化物层的厚度为20nm～60nm，每层所述无机子层的厚度为0.4μm～0.5μm。

6.如权利要求3所述的薄膜封装结构，其特征在于：每层所述金属氧化物层的厚度为20nm～60nm，所述无机子层的厚度为0.8μm～1.2μm。

7.一种薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤a：提供一基板；

步骤b：将功能器件制备到所述基板上；

步骤c：在经过步骤b的基板上沉积第一无机封装层，其中所述第一无机封装层至少包括无机子层和金属氧化物层交替层叠形成的三层结构，所述无机子层与所述金属氧化物层材料不同；

步骤d：在第一无机封装层上形成有机层；

步骤e：在所述有机层上沉积第二无机封装层。

8.如权利要求7所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤c包括：

步骤c1：采用等离子增强化学汽相沉积的方法在经过步骤b的基板上沉积一层无机子层，且沉积腔内的真空度为0～2托，沉积时间为75s～125s，所述无机子层的沉积厚度为0.4μm～0.5μm；

步骤c2：采用原子层沉积的方法在步骤c1所形成的所述无机子层上沉积一层金属氧化物层，沉积腔内的真空度为0～0.01毫托，沉积时间为30min～60min，沉积厚度为20nm～60nm；

步骤c3：采用等离子增强化学汽相沉积的方法在步骤c2所形成的所述金属氧化物层上沉积另一层无机子层，且沉积腔内的真空度为0～2托，沉积时间为75s～125s，所述无机子层的沉积厚度为0.4μm～0.5μm。

9.如权利要求7所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤c包括：

步骤c1'：采用原子层沉积的方法在经过步骤b的基板上沉积一层金属氧化物层，沉积腔内的真空度为0～0.01毫托，沉积时间为30min～60min，沉积厚度为20nm～60nm；

步骤c2'：采用等离子增强化学汽相沉积的方法在步骤c1'所形成的所述金属氧化物层上沉积一层无机子层，且沉积腔内的真空度为0～2托，沉积时间为150s～250s，所述无机子层的沉积厚度为0.8μm～1.2μm；

步骤c3'：采用原子层沉积的方法在步骤c2'所形成的所述无机子层上沉积一层金属氧化物层，沉积腔内的真空度为0～0.01毫托，沉积时间为30min～60min，沉积厚度为20nm～60nm。

10.如权利要求8或9所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于：所述第二无机封装层通过等离子增强化学汽相沉积法成膜，且可为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。