[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

半导体结构，所述半导体结构包括外围电路；

堆叠结构，位于所述外围电路上，所述堆叠结构包括核心区及字线连接区，所述核心区具有沟道孔，所述沟道孔中形成有存储器膜及沟道层，所述字线连接区具有贯穿所述字线连接区的接触孔，所述接触孔中形成有绝缘侧壁及导电支撑柱，所述导电支撑柱连接所述外围电路。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述堆叠结构包括交替层叠的栅极层及介质层，所述绝缘侧壁隔离所述导电支撑柱与所述栅极层。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：所述字线连接区包括阶梯结构，所述阶梯结构上覆盖有绝缘层，所述绝缘层中具有字线通孔，所述字线通孔中填充有字线导电层，所述字线导电层与所述阶梯结构中的所述栅极层连接。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述接触孔中的所述绝缘侧壁包括二氧化硅层，所述接触孔中的所述导电支撑柱包括钨。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述存储器膜包括阻挡层、电荷捕获层及隧穿层，其中，所述阻挡层位于所述沟道孔的侧壁表面，所述电荷捕获层位于所述阻挡层的表面，所述隧穿层位于所述电荷捕获层的表面，所述沟道层位于所述隧穿层的表面。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述外围电路及所述核心区之间形成有共源极线层，所述共源极线层与所述外围电路连接。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于：所述共源极线层包括金属层及位于所述金属层上的掺杂半导体层，所述掺杂半导体层与所述金属层形成欧姆接触。

8.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于：所述沟道孔的底部形成有掺杂多晶硅层，所述沟道层与所述掺杂多晶硅层连接，所述掺杂多晶硅层与所述共源极线层连接。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述核心区还形成有栅线隔槽，所述栅线隔槽的侧壁形成有隔离层，所述栅线隔槽中填充有导电材料层，所述导电材料层与所述共源极线层连接。

10.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：还包括周边区，位于所述字线连接区外，所述周边区具有周边接触孔，所述周边接触孔中形成有绝缘部及导电部，所述导电部连接所述外围电路。

11.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述外围电路包括电路层以及位于所述电路层上的布线层。

12.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有外围电路；

在所述半导体结构上形成叠层结构，所述叠层结构包括核心区及字线连接区；

在所述核心区形成沟道孔；

在所述沟道孔中形成存储器膜及沟道层；

在所述字线连接区形成接触孔，所述接触孔显露所述外围电路；

在所述接触孔中形成绝缘侧壁及填充导电支撑柱，所述导电支撑柱连接所述外围电路。

13.根据权利要求12所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：在所述沟道孔中形成存储器膜及沟道层包括步骤：

在所述沟道孔的侧壁上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成电荷捕获层；

在所述电荷捕获层上形成隧穿层；

在所述隧穿层上形成所述沟道层。

14.根据权利要求12所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：还包括步骤：

在所述外围电路及所述核心区之间形成共源极线层，所述共源极线层与所述外围电路连接。