[发明专利]磁控溅射靶在审

专利信息
申请号: 201910150575.4 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN111621754A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 刘洋;汪振南;见东伟;杨永雷 申请(专利权)人: 领凡新能源科技(北京)有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 代理人: 张婧
地址: 101407 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射
【说明书】:

发明公开一种磁控溅射靶,所述磁控溅射靶包括靶头、靶芯主体、靶材筒,所述靶芯主体容置在所述靶材筒内,所述靶头与所述靶芯主体连接;所述磁控溅射靶还包括:冷却结构,所述靶头上设有第一口和第二口,所述冷却结构包括相互连通的第一腔和第二腔,所述第一腔位于所述靶芯主体内部,所述第二腔位于所述靶材筒与所述靶芯主体之间,所述第一腔与所述靶头上的所述第一口连通,所述第二腔与所述靶头上的所述第二口连通。所述磁控溅射靶具有较好的冷却效果,能够提高磁控溅射靶的运行稳定性。

技术领域

本发明涉及溅射镀膜设备领域,特别涉及一种磁控溅射靶。

背景技术

在磁控溅射镀膜过程中,磁控溅射靶会在辉光放电中受到离子轰击而迅速升温,可能会导致磁控溅射靶内的永磁体等关键部件毁坏,为保证磁控溅射靶在溅射时的正常工作温度,进而保证磁控溅射靶在溅射镀膜过程中的工艺稳定性,需要在其内部设置相应的冷却结构,通过进入冷却结构中的冷却水带走大量热量以对磁控溅射靶进行降温。

目前国内传统的磁控溅射靶通常是设置水冷结构对自身进行冷却。在实际运行中,这种水冷结构的冷却效果差,严重影响了磁控溅射靶的运行效率,并导致磁控溅射靶的性能无法完全发挥,进而容易造成镀膜质量差。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述技术问题,本发明提供一种具有良好的冷却效果、能够提高磁控溅射靶的运行稳定性的磁控溅射靶。

为解决本发明的技术问题,提供以下技术方案:

一种磁控溅射靶,包括靶头、靶芯主体、靶材筒,所述靶芯主体容置在所述靶材筒内,所述靶头与所述靶芯主体连接;

所述磁控溅射靶还包括:冷却结构,所述靶头上设有第一口和第二口,所述冷却结构包括相互连通的第一腔和第二腔,所述第一腔位于所述靶芯主体内部,所述第二腔位于所述靶材筒与所述靶芯主体之间,所述第一腔与所述靶头上的所述第一口连通,所述第二腔与所述靶头上的所述第二口连通。

其中,所述第一口为出液口,所述第二口为进液口。

可选的,所述靶芯主体上设有孔,所述第一腔与所述第二腔通过所述孔连通。由于第一冷却腔与第二冷却腔之间仅通过孔连通,在相同压力下可使冷却液的流速更快。

可选的,所述靶芯主体包括靶基座和靶面体,所述靶基座和所述靶面体之间围成所述第一腔,所述靶头与所述靶基座可拆卸连接,所述孔设置于所述靶面体。

可选的,所述冷却结构还包括设于靶基座内的第一进液通道和槽孔,

所述第一进液通道的入口与所述靶头的出液口连通,所述第一进液通道通过所述槽孔与所述第一腔连通。

优选的,沿所述靶基座的长度方向,所述第一进液通道贯穿所述靶基座。

可选的,所述冷却结构还包括设于所述靶基座内的第一回液通道,

所述第二腔通过所述第一回液通道与所述靶头上的进液口连通。这样,进入第二腔中的冷却液在流经整个靶芯主体的长度后再进行回流,从而能够更好地对靶材筒进行冷却。

可选的,所述磁控溅射靶还包括靶堵头,所述靶堵头与所述靶头分别设于所述靶基座的两端,所述靶堵头与所述靶基座可拆卸连接,所述靶堵头上设有回液孔,所述回液孔用于连通所述第二腔和所述第一回液通道。通过设置靶堵头,且由于靶芯主体和靶堵头之间采用可拆卸连接,因而便于对靶芯主体内部的冷却结构进行清理,同时也可方便地为第二腔中的冷却液进入回流通道提供入口。

优选的,沿所述靶基座的长度方向,所述第一回液通道贯通所述靶基座以与所述回液孔连通。

优选的,所述孔的数量为多个,多个所述孔设于所述靶面体上背离所述靶头的一端;和/或,

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