[发明专利]一种切割工艺在审
| 申请号： | 201910151112.X | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109920752A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 黄才汉;魏岚;吴薛平;陈友三 | 申请（专利权）人： | 厦门信达光电物联科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低粘度 光学膜 基板 切割 真空工作台 基板组件 切割面 预切割 放入 对角线 自动切割机 固定基板 基板接触 简化基板 生产效率 四周边缘 对基板 切割环 气枪 刀片 料盒 撕下 碎屑 贴上 预切 应用 | ||
1.一种切割工艺,其特征在于，包括步骤:
(1)在低粘度光学膜正面中部贴上至少一个基板；所述基板包括切割面，所述基板的切割面面向所述低粘度光学膜；然后将切割环沿低粘度光学膜不与所述基板接触的四周边缘贴于低粘度光学膜正面，形成基板组件；
(2)将基板组件放入自动切割机的真空工作台中，低粘度光学膜贴有所述基板的一面朝向所述真空工作台，即低粘度光学膜与真空工作台设置有所述基板，然后使用金刚刀片对基板进行预切割；
(3)切割完成后，用气枪吹去所述低粘度光学膜上的水分和基板碎屑，然后固定基板，将低粘度光学膜按照其对角线轨迹撕下；
(4)把真空工作台上预切后的基板放入料盒。
2.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述低粘度光学膜的粘力值范围为0.1N/cm^2至2N/cm^2，所述低粘度光学膜的厚度范围为0.01mm至1mm，所述低粘度光学膜的透光率范围为50％以上。
3.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述低粘度光学膜的材质具体为PU或PE或PET或PVC或PO。
4.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述基板的切割面上具有切割轨迹。
5.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述金刚刀片的厚度为范围为0.01mm至0.3mm。
6.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，驱动所述金刚刀片的机台的步进速度为范围为10mm/s至200mm/s，金刚刀片转速为范围为10000rpm至40000rpm，金刚刀片的切割高度为0.01mm至5mm。
7.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述真空工作台具有一定吸附力，用于吸附所述基板。
8.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述真空工作台的吸附压强为范围为50pa至1000pa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
