[发明专利]一种切割工艺

说明书

本发明提供了一种切割工艺,包括步骤:(1)在低粘度光学膜正面中部贴上至少一个基板；基板包括切割面，基板的切割面面向所述低粘度光学膜；然后将切割环沿低粘度光学膜不与基板接触的四周边缘贴于低粘度光学膜正面，形成基板组件；(2)将基板组件放入自动切割机的真空工作台中，低粘度光学膜贴有所述基板的一面朝向所述真空工作台，即低粘度光学膜与真空工作台设置有所述基板，然后使用金刚刀片对基板进行预切割；(3)切割完成后，用气枪吹去所述低粘度光学膜上的水分和基板碎屑，然后固定基板，将低粘度光学膜按照其对角线轨迹撕下；(4)把真空工作台上预切后的基板放入料盒。应用本技术方案可实现简化基板预切割程序，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及EMC或SMC基板领域，具体是指一种切割工艺。

背景技术

在EMC或SMC基板预切割工艺中，首先将带有高粘度胶水层的UV膜贴附在EMC或SMC基板正面上；然后将EMC或SMC基板贴膜的一面放置在切割机的载物台上(切割机厂家如DISCO,NDS)，利用载物台上的真空吸孔吸附住UV膜；然后使用高速旋转的金刚刀对EMC或SMC基板进行不完全切透，只切断金属引线；切割完成后，用365nm波长的紫外线光源对UV膜进行一定剂量的照射，使得UV膜的胶水层降低粘性，从而很容易将切割好EMC或SMC基板从UV膜上取下。自动切割机的工作台是真空吸附，所以工作台需保持干净。金刚刀片因为转速非常快，最高可以到每秒3000转，在切割物表面会产生非常大的振动，可能导致半导体芯片或封装模块被高速旋转的刀片带离UV膜，即所谓“飞片”，所以需要底膜粘性足够。

在传统UV膜更换低粘度光学膜切割工艺中，对于EMC或SMC基板预切，粘性小的低粘度光学膜会导致切割飞料或清洗飞料，进而造成EMC或SMC基板杯里进脏污难以清洗掉。然而粘性偏高的光学膜会使EMC或SMC基板在下料时因粘性太强难以下料，甚至下料过程中导致基板破裂。LED制造中EMC或SMC基板在进行预切割时需要底膜，现有底膜为UV膜,UV膜在切割加工时需要进行解胶和清洗，工艺繁琐,生产效率较低,且成本高昂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种切割工艺，简化基板切割程序，提高生产效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种切割工艺,包括步骤:

(1)在低粘度光学膜正面中部贴上至少一个基板；所述基板包括切割面，所述基板的切割面面向所述低粘度光学膜；然后将切割环沿低粘度光学膜不与所述基板接触的四周边缘贴于低粘度光学膜正面，形成基板组件；

(2)将基板组件放入自动切割机的真空工作台中，低粘度光学膜贴有所述基板的一面朝向所述真空工作台，即低粘度光学膜与真空工作台设置有所述基板，然后使用金刚刀片对基板进行预切割；

(3)切割完成后，用气枪吹去所述低粘度光学膜上的水分和基板碎屑，然后固定基板，将低粘度光学膜按照其对角线轨迹撕下；

(4)把真空工作台上预切后的基板放入料盒。

在一较佳的实施例中，所述低粘度光学膜的粘力值范围为0.1N/cm^2至2N/cm^2，所述低粘度光学膜的厚度范围为0.01mm至1mm，所述低粘度光学膜的透光率范围为50％以上。

在一较佳的实施例中，所述低粘度光学膜的材质具体为PU或PE或PET或PVC或PO。

在一较佳的实施例中，所述基板的切割面上具有切割轨迹。

在一较佳的实施例中，所述金刚刀片的厚度为范围为0.01mm至0.3mm。

在一较佳的实施例中，驱动所述金刚刀片的机台的步进速度为范围为10mm/s至200mm/s，金刚刀片转速为范围为10000rpm至40000rpm，金刚刀片的切割高度为0.01mm至5mm。

在一较佳的实施例中，所述真空工作台具有一定吸附力，用于吸附所述基板。