[发明专利]一种晶体提拉机构及晶体生长装置

说明书

本发明提供一种晶体提拉机构及晶体生长装置，所述晶体提拉机构包括:腔体；晶体提拉单元，所述晶体提拉单元位于所述腔体中，配置为通过提拉晶绳提拉晶体；颗粒捕获单元，所述颗粒捕获单元位于所述腔体中，配置为捕获所述提拉晶绳上吸附的颗粒物。根据本发明提供的晶体提拉机构，通过颗粒捕获单元捕获提拉晶绳上吸附的颗粒物，避免了提拉过程中产生的金属颗粒落入硅熔体，进而避免了生长后的单晶棒中金属元素浓度超出许可范围，提高了产品质量和生产效率。

技术领域

本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言涉及一种晶体提拉机构及晶体生长装置。

背景技术

随着集成电路(Integrated Circuit，IC)产业的迅猛发展，器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求，而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料。提拉法(Czochralski，CZ法)是现有技术中由熔体生长单晶的一项最主要的方法，其具体做法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体。

在半导体用晶圆中，对混入单晶的金属杂质的浓度有严格限制，特别是金属铜(Cu)、金属铁(Fe)、金属铬(Cr)等元素。但是由于提拉晶绳的反复升降，导致和滑轮和转鼓反复摩擦，其表面产生金属颗粒，这些金属颗粒可能会落入硅熔体，导致金属污染，使得生长后的单晶棒中金属元素浓度超出许可范围。

因此，有必要提出一种新的晶体提拉机构及晶体生长装置，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供一种晶体提拉机构，包括：

腔体；

晶体提拉单元，所述晶体提拉单元位于所述腔体中，配置为通过提拉晶绳提拉晶体；

颗粒捕获单元，所述颗粒捕获单元位于所述腔体中，配置为捕获所述提拉晶绳上吸附的颗粒物。

进一步，所述颗粒捕获单元包括电磁体。

进一步，所述颗粒捕获单元与所述提拉晶绳相邻设置。

进一步，所述晶体提拉单元包括滑轮和用于缠绕所述提拉晶绳的转鼓。

进一步，所述滑轮和所述转鼓由不锈钢制成。

进一步，所述提拉晶绳由数组钨丝捻绕而成。

进一步，所述腔体中为真空或者充满惰性气体。

本发明还提供一种晶体生长装置，包括上述晶体提拉机构。

根据本发明提供的晶体提拉机构，通过颗粒捕获单元捕获提拉晶绳上吸附的颗粒物，避免了提拉过程中产生的金属颗粒落入硅熔体，进而避免了生长后的单晶棒中金属元素浓度超出许可范围，提高了产品质量和生产效率。

附图说明

通过结合附图对本发明实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

附图中：

图1示出了根据现有技术的一种晶体提拉机构的示意图。

图2示出了根据本发明示例性实施例的一种晶体提拉机构的示意图。