[发明专利]非平面型场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底以及所述半导体衬底上的多条鳍部，多条所述鳍部在横向方向上相互邻接地依次排列；

形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖多条所述鳍部的横向侧壁；

去除部分所述侧墙结构，保留多条所述鳍部整体沿横向方向最外侧的所述侧墙结构；之后，

在多条所述鳍部上生长源漏外延结构。

2.如权利要求1所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖多条所述鳍部的横向侧壁的步骤之后，还包括在多条所述鳍部上形成凹槽；

在所述凹槽内，采用第一源漏外延工艺，获得第一源漏外延结构。

3.如权利要求2所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，

在多条所述鳍部上生长源漏外延结构的步骤中，在所述第一源漏外延结构表面，采用第二源漏外延工艺，获得第二源漏外延结构。

4.如权利要求3所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一源漏外延工艺、所述第二源漏外延工艺均为原位掺杂的外延工艺，且所述第二源漏外延工艺的掺杂浓度高于所述第一源漏外延工艺。

5.如权利要求4所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述原位掺杂的外延工艺为硼或磷掺杂的锗硅外延生长工艺。

6.如权利要求3所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内，采用第一源漏外延工艺，获得第一源漏外延结构的步骤中，所述第一源漏外延结构的顶部高于所述侧墙结构。

7.如权利要求6所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括

刻蚀所述第一源漏外延结构，使所述第一源漏外延结构与所述侧墙结构的顶部齐平。

8.如权利要求1所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除部分所述侧墙结构，保留多条所述鳍部整体沿横向方向最外侧的所述侧墙结构的步骤中，去除覆盖多条所述鳍部之间每个内侧侧壁的侧墙结构，仅保留多条所述鳍部整体沿横向方向最外侧的侧墙结构。

9.如权利要求8所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，以掩膜覆盖多条所述鳍部整体沿横向方向最外侧的两个侧壁上的侧墙结构，采用对所述侧墙结构具有选择性的刻蚀方法，去除覆盖多条所述鳍部之间的每个内侧侧壁的侧墙结构。

10.如权利要求1所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖多条所述鳍部的横向侧壁的步骤包括：

去除位于所述鳍部顶端的所述侧墙结构。

11.如权利要求1所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法在形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖多条所述鳍部的横向侧壁的步骤之前，还包括

形成横跨多条所述鳍部的栅极结构。

12.如权利要求1-11中任一项所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述非平面型场效应晶体管为鳍式场效应晶体管、三栅场效应晶体管或环栅场效应晶体管。

13.如权利要求12所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述非平面场效应晶体管为多鳍式鳍式场效应晶体管，多条所述鳍部为单一晶体管器件的多条所述鳍部。

14.如权利要求1-11中任一项所述的非平面型场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述非平面型场效应晶体管为P型场效应晶体管，所述源漏外延结构为锗硅外延结构。