[发明专利]一种清洗晶振片的方法在审
| 申请号： | 201910151737.6 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111627795A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 徐义;刘晓兵 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 晶振片 方法 | ||
1.一种清洗晶振片的方法，其特征在于，该方法包括：
提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；
对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；
采用酸性溶液清除所述第二膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述待清洗晶振片进行氧化处理之前，该方法还包括：
加热所述待清洗晶振片，清除所述第一膜层中的非金属单质和/或部分金属单质。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述加热所述待清洗晶振片，包括：
将所述待清洗晶振片放置在密闭真空环境中或密闭惰性气体环境中，加热所述待清洗晶振片。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述非金属单质包括硒；所述金属单质包括铜、铟、镓中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述待清洗晶振片进行氧化处理，包括：
将所述待清洗晶振片放置在密闭环境中并通入氧气，加热所述待清洗晶振片。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜层包括铜、铟、镓以及硒的氧化物中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用酸性溶液清除所述第二膜层，包括：
将所述待清洗晶振片放置在酸性溶液中，加热所述酸性溶液，使所述第二膜层与所述酸性溶液反应。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用酸性溶液清除所述第二膜层，还包括：
将所述酸性溶液放置在超声波清洗机中；和/或
在所述酸性溶液中通入CDA。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用酸性溶液清除所述第二膜层之后，该方法还包括：
采用清水清洗所述待清洗晶振片；
采用酒精清洗所述待清洗晶振片。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，采用酒精清洗所述待清洗晶振片之后，该方法还包括：
烘干所述待清洗晶振片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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