[发明专利]一种清洗晶振片的方法

说明书

本发明提供一种清洗晶振片的方法，用以避免晶振片与浓碱性试剂反应导致晶振片损坏的问题，从而提高晶振片的清洗效果。所述清洗晶振片的方法，该方法包括：提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；采用酸性溶液清除所述第二膜层。

技术领域

本发明涉及晶振片的技术领域，尤其涉及一种清洗晶振片的方法。

背景技术

石英晶振片是用来测量薄膜沉积速率的关键测量器件，在使用过程中石英晶振片的表面会逐渐附着镀层。由于石英晶振片成本较高，一般会对石英晶振片进行重复利用，因此需要将使用过的石英晶振片进行清洗。

但是现有的化学药剂清洗技术，需要使用强酸和强碱分别反应方可完成清洗，清洗过程复杂，且石英晶振的主要成分氧化硅，其与浓碱性试剂存在反应的风险，清洗过程中可能会被逐渐腐蚀，导致晶振损坏。

发明内容

本发明实施例提供一种清洗晶振片的方法，用以避免晶振片与浓碱性试剂反应导致晶振片损坏的问题，从而提高晶振片的清洗效果。

本发明实施例提供一种清洗晶振片的方法，该方法包括：

提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；

对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；

采用酸性溶液清除所述第二膜层。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，对所述待清洗晶振片进行氧化处理之前，该方法还包括：

加热所述待清洗晶振片，清除所述第一膜层中的非金属单质和/或部分金属单质。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述加热所述待清洗晶振片，包括：

将所述待清洗晶振片放置在密闭真空环境中或密闭惰性气体环境中，加热所述待清洗晶振片。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述非金属单质包括硒；所述金属单质包括铜、铟、镓中的至少一种。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，对所述待清洗晶振片进行氧化处理，包括：

将所述待清洗晶振片放置在密闭环境中并通入氧气，加热所述待清洗晶振片。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述第二膜层包括：铜、铟、镓以及硒的氧化物中的至少一种。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酸性溶液清除所述第二膜层，包括：

将所述待清洗晶振片放置在酸性溶液中，加热所述酸性溶液，使所述第二膜层与所述酸性溶液反应。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酸性溶液清除所述第二膜层，还包括：

将所述酸性溶液放置在超声波清洗机中；和/或

在所述酸性溶液中通入CDA。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述采用酸性溶液清除所述第二膜层之后，该方法还包括：

采用清水清洗所述待清洗晶振片；

采用酒精清洗所述待清洗晶振片。

可选地，本发明实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酒精清洗所述待清洗晶振片之后，该方法还包括：

烘干所述待清洗晶振片。

本发明实施例的有益效果：