[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的缓冲停止层以及分立于所述缓冲停止层上的伪鳍部；

在所述伪鳍部露出的所述缓冲停止层上，形成隔离结构，且所述隔离结构覆盖所述伪鳍部的侧壁；

对所述隔离结构进行退火处理；

所述退火处理后，去除所述伪鳍部，形成由所述隔离结构和缓冲停止层围成的凹槽；

在所述凹槽中形成鳍部；

回刻蚀部分厚度的所述隔离结构，形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲停止层的材料包括SiGe和SiC中的一种或两种。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲停止层的厚度是10纳米至45纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺或者化学气相沉积工艺形成所述缓冲停止层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述半导体结构用于形成PMOS时，所述缓冲停止层的材料为SiGe，所述鳍部的材料为SiGe，且所述缓冲停止层中Ge摩尔体积的浓度低于所述鳍部中Ge摩尔体积的浓度；

或者，当所述半导体结构用于形成NMOS时，所述缓冲停止层的材料为SiGe，所述鳍部的材料为Si。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤包括：形成覆盖所述伪鳍部的隔离材料结构；采用平坦化工艺去除高于所述伪鳍部的所述隔离材料结构，形成所述隔离结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用流动性化学气相沉积工艺形成所述隔离材料结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述伪鳍部。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用四甲基氢氧化铵溶液去除所述伪鳍部。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪鳍部的高度为40纳米至80纳米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪鳍部的材料包括Si、GaAs和InAs中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用选择性外延生长法在所述凹槽中形成所述鳍部。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括SiO、SiN、SiCN、SiOCN和SiON中的一种或多种。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲停止层，位于所述衬底上；

伪鳍部，位于所述缓冲停止层上；

隔离结构，位于所述伪鳍部露出的所述衬底上，且所述隔离结构覆盖所述伪鳍部的侧壁。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲停止层的材料包括SiGe和SiC中的一种或两种。

16.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲停止层的厚度是10纳米至45纳米。

17.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述伪鳍部的材料包括Si、GaAs和InAs中的一种或多种。