[发明专利]OLED阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910152696.2 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN110767712B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 楼均辉 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 李姣姣 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED阵列基板,其特征在于,包括:透明显示区、非透明显示区以及过渡区;所述过渡区位于所述透明显示区与所述非透明显示区之间;
所述非透明显示区包括阵列式排布的第一OLED像素;所述第一OLED像素的第一阳极为非透明阳极;所述透明显示区包括阵列式排布的第二OLED像素;所述第二OLED像素的第二阳极为透明阳极;所述过渡区包括第一类过渡区或第二类过渡区;
所述第一类过渡区至少包括阵列式排布的多个第三OLED像素;所述第三OLED像素的第三阳极包括非透明阳极区与透明阳极区;在从所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上的多个所述第三OLED像素中,一个所述第三阳极中的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例依次减小、透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例依次增加;
所述第二类过渡区在所述非透明显示区指向所述透明显示区的第一方向上包括依次排列的N个第二类子过渡区,每个所述第二类子过渡区中包括阵列式排布的第一OLED像素与第二OLED像素,且沿所述第一方向,所述第二类子过渡区中第一OLED像素所占的比例依次减小、第二OLED像素所占的比例依次增加;N为自然数。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,当所述过渡区包括所述第一类过渡区时,在所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上,所述第三阳极的非透明阳极区位于靠近所述非透明显示区的一侧,所述第三阳极的透明阳极区位于靠近所述透明显示区的一侧。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于,在所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上,所述第一类过渡区包括依次排列的K个第一类子过渡区,K为自然数;在同一个所述第一类子过渡区中,每个所述第三阳极的非透明阳极区的面积与透明阳极区的面积之比基本相同。
4.根据权利要求3所述的OLED阵列基板,其特征在于,K为1、2或3。
5.根据权利要求4所述的OLED阵列基板,其特征在于,当K为3时,在所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上,K个所述第一类子过渡区包括依次排列的第一子过渡区、第二子过渡区以及第三子过渡区;
在所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上,每个所述第一类子过渡区中包括一个第三OLED像素;
在所述第一子过渡区中,每个第三OLED像素中所述第三阳极的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为70%-80%,所述第三阳极的透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为30%-20%;
在所述第二子过渡区中,每个第三OLED像素中所述第三阳极的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为50%,所述第三阳极的透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为50%;
在所述第三子过渡区中,每个第三OLED像素中所述第三阳极的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为20%-30%,所述第三阳极的透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为80%-70%。
6.根据权利要求5所述的OLED阵列基板,其特征在于,在所述第一子过渡区中,每个第三OLED像素中所述第三阳极的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为75%,所述第三阳极的透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为25%。
7.根据权利要求5所述的OLED阵列基板,其特征在于,在所述第三子过渡区中,每个第三OLED像素中所述第三阳极的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为25%,所述第三阳极的透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例为75%。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第三阳极的非透明阳极区与透明阳极区之间设置有像素定义层。
9.根据权利要求2至7中任一项所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第三阳极的非透明阳极区与透明阳极区电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的