[发明专利]OLED阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910152696.2 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN110767712B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 楼均辉 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 李姣姣 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及一种OLED阵列基板、显示面板及显示装置。所述OLED阵列基板,包括:透明显示区、非透明显示区以及位于透明显示区与非透明显示区之间的过渡区。非透明显示区包括第一阳极为非透明阳极的第一OLED像素。透明显示区包括第二阳极为透明阳极的第二OLED像素。过渡区包括第三OLED像素;第三OLED像素的第三阳极包括非透明阳极区与透明阳极区;在从非透明显示区指向透明显示区的方向上的多个第三OLED像素中,一个第三阳极中的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例依次减小、透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例依次增加。本发明实施例,可使显示亮度从非透明显示区向透明显示区逐渐过渡,避免非透明显示区与透明显示区之间存在明显的分界线。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高。由于屏幕顶部需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此,相关技术中屏幕顶部通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如,苹果手机iphoneX的“刘海”区域,影响了屏幕的整体一致性。目前,全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明提供一种OLED阵列基板、显示面板及显示装置,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种OLED阵列基板,包括:透明显示区、非透明显示区以及过渡区;所述过渡区位于所述透明显示区与所述非透明显示区之间;
所述非透明显示区包括阵列式排布的第一OLED像素;所述第一OLED像素的第一阳极为非透明阳极;所述透明显示区包括阵列式排布的第二OLED像素;所述第二OLED像素的第二阳极为透明阳极;所述过渡区包括第一类过渡区或第二类过渡区;
所述第一类过渡区至少包括阵列式排布的多个第三OLED像素;所述第三OLED像素的第三阳极包括非透明阳极区与透明阳极区;在从所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上的多个所述第三OLED像素中,一个所述第三阳极中的不透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例依次减小、透明阳极区的面积占整个第三阳极面积的比例依次增加;
所述第二类过渡区在所述非透明显示区指向所述透明显示区的第一方向上包括依次排列的N个第二类子过渡区,每个所述第二类子过渡区中包括阵列式排布的第一OLED像素与第二OLED像素,且沿所述第一方向,所述第二类子过渡区中第一OLED像素所占的比例依次减小、第二OLED像素所占的比例依次增加;N为自然数。
在一个实施例中,当所述过渡区包括所述第一类过渡区时,在所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上,所述第三阳极的非透明阳极区位于靠近所述非透明显示区的一侧,所述第三阳极的透明阳极区位于靠近所述透明显示区的一侧。
由于每个第三阳极的包括非透明阳极区与透明阳极区,因此,可以使过渡区的显示亮度更加均匀,避免相邻像素的亮度差异过大导致视觉不适。而且,在所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上,所述第三阳极的非透明阳极区位于靠近所述非透明显示区的一侧,所述第三阳极的透明阳极区位于靠近所述透明显示区的一侧,这样,可以使从非透明显示区向透明显示区的亮度过渡得更流畅。
在一个实施例中,在所述非透明显示区指向所述透明显示区的方向上,所述第一类过渡区包括依次排列的K个第一类子过渡区,K为自然数;在同一个所述第一类子过渡区中,每个所述第三阳极的非透明阳极区的面积与透明阳极区的面积之比基本相同。
由于在同一个第一类子过渡区中,每个所述第三阳极的非透明阳极区的面积与透明阳极区的面积之比基本相同,这样,可以方便制备,简化制备工艺。
在一个实施例中,K为1、2或3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的