[发明专利]一种采用柔性基板和TSV芯片的封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201910153762.8 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN110034096A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 杨志;缪富军;赵励强 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 赵海波;孙燕波 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性基板 芯片 封装结构 弯折 贴装 元器件 焊接 倒装芯片 上表面 弯折部 朝上 顶层 焊盘 凸块 制作 背面 | ||
本发明涉及一种采用柔性基板和TSV芯片的封装结构及其制作方法,所述封装结构包括弯折布置的柔性基板(5),所述柔性基板(5)弯折部内侧设置有TSV芯片(6),所述TSV芯片(6)正面和背面均通过第一凸块(7)与柔性基板(5)相连接,弯折布置的柔性基板(5)上表面设置有焊接芯片(1)、倒装芯片(2)或SMT元器件(9)。本发明一种采用柔性基板和TSV芯片的封装结构,它采用在柔性基板上贴装TSV芯片,将柔性基板弯折后焊接在TSV芯片的另一面,柔性基板弯折后朝上的一面有用于顶层芯片或元器件贴装的焊盘,从而能将芯片或元器件直接贴装在柔性基板之上。
技术领域
本发明涉及一种采用柔性基板和TSV(硅片通孔)芯片的封装结构及其制作方法,属于半导体封装技术领域。
背景技术
目前的堆叠产品主要有两种方式:
第一种是普通堆叠产品,其结构是在芯片上面直接堆叠芯片,然后进行打线,然后再进行包封(如图1所示)。这种结构对顶层芯片有限制,只能是焊线芯片;
第二种是使用POP技术即在封装体之上堆叠封装(如图2所示),由于是两个独立的封装体完成的堆叠,因此最后整体的封装结构的尺寸会比较厚。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种采用柔性基板和TSV芯片的封装结构及其制作方法,它采用在柔性基板上贴装TSV芯片,将柔性基板弯折后焊接在TSV芯片的另一面,柔性基板弯折后朝上的一面有用于顶层芯片或元器件贴装的焊盘,从而能将芯片或元器件直接贴装在柔性基板之上。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种采用柔性基板和TSV芯片的封装结构,它包括弯折布置的柔性基板,所述柔性基板弯折部内侧设置有TSV芯片,所述TSV芯片正面和背面均通过第一凸块与柔性基板内侧相连接,弯折布置的柔性基板外侧上表面设置有焊接芯片、倒装芯片或SMT元器件。
优选的,柔性基板弯折多次,每个弯折部内侧均设置有TSV芯片。
一种采用柔性基板和TSV芯片的封装结构的制作方法,包括以下步骤:
步骤一、芯片按需求进行TSV加工;
步骤二、TSV芯片正面和背面制作凸块;
步骤三、将TSV芯片用倒装工艺贴装到柔性基板上;
步骤四、将柔性基板进行弯折,将TSV芯片另一面焊接在弯折后的柔性基板内侧另一面;
步骤五、柔性基板弯折后的外侧上表面进行装片作业。
优选的,步骤二在制作凸块前根据实际需求增加RDL工序,以实现TSV芯片表面重布线。
一种采用柔性基板和TSV芯片的封装结构的制作方法,包括以下步骤:
步骤一、芯片按需求进行TSV加工;
步骤二、TSV芯片正面和背面制作后续用于焊接的焊盘;
步骤三、在柔性基板上制作凸块,然后将TSV芯片用倒装工艺贴装在柔性基板上;
步骤四、将柔性基板进行弯折,将TSV芯片另一面焊接在弯折后的柔性基板内侧另一面;
步骤五、柔性基板弯折后的外侧上表面进行装片作业。
优选的,步骤二在制作焊盘前根据实际需求增加RDL工序,以实现TSV芯片表面重布线。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
1、本发明采用在柔性基板上贴装TSV芯片,再将柔性基板弯折后焊接在TSV芯片的另一面。柔性基板弯折后朝上的一面有用于顶层芯片或元器件贴装的焊盘,从而能将芯片或元器件直接贴装在柔性基板之上;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏长电科技股份有限公司,未经江苏长电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910153762.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三维堆叠封装集成TR模组
- 下一篇:半导体结构及其形成方法