[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包括：

发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至所述发光结构外部；

透明电极层，其布置在所述发光结构上；

透明保护层，其布置在所述透明电极层上；

分布式布拉格反射器层，其布置在所述透明保护层上，并且覆盖所述透明电极层的至少一部分；以及

至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至所述透明电极层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述分布式布拉格反射器层包括具有不同的折射率的多个膜。

3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述分布式布拉格反射器层包括从由SiO₂、SiN、SiO_xN_y、TiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiN、AlN、ZrO₂、TiAlN、TiSiN、HfO、NbO₂、TaO₂和MgF₂构成的组中选择的至少一个。

4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其中，所述透明保护层包括SiO₂和MgF₂中的至少一个。

5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述透明保护层的厚度范围为从10nm至200nm。

6.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述透明保护层包括这样的材料，该材料的折射率低于形成用于形成所述分布式布拉格反射器层的所述多个膜中的布置为最靠近所述透明保护层的至少一个膜的材料的折射率。

7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，形成所述分布式布拉格反射器层的材料的折射率低于形成所述发光结构并且布置在所述透明电极层下方的第一导电类型的半导体层的折射率。

8.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述孔或过孔包括第一内壁和第二内壁，所述第一内壁和所述第二内壁彼此连接并且相对于所述透明电极层的上表面具有不同倾斜角，并且

其中，所述第一内壁被所述分布式布拉格反射器层包围，并且所述第二内壁被所述透明保护层包围。

9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，所述第二内壁延伸至所述透明电极层的通过去除或蚀刻所述透明电极层的一部分而暴露的表面，并且该表面由此低于所述透明电极层的布置有所述透明保护层的上表面。

10.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层的厚度范围为从1nm至5nm。

11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层被构造为将从所述电极焊盘接收到的电流注入所述发光结构中，以产生光，并且

其中，在所述透明电极层与所述透明保护层之间存在界面。

12.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层包括从铟锡氧化物(ITO)、锌掺杂铟锡氧化物(ZITO)、镓铟氧化物(GIO)、锌锡氧化物(ZTO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、In₄Sn₃O₁₂和锌镁氧化物(Zn_(1-x)Mg_xO)中选择的至少一个，其中0≤x≤1。

13.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括布置在所述分布式布拉格反射器层上的反射电极层，

其中，所述反射电极层被构造为从所述电极焊盘接收电流，并且包括Ag、Cr、Ni、Ti、Al、Rh、Ru、Au或它们的组合。