[发明专利]半导体发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201910154648.7 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN110223999A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 辛榕燮;尹柱宪;孙夏英 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体发光装置 透明电极层 发光结构 透明保护层 分布式布拉格反射器 覆盖透明电极 半导体层 电极焊盘 光发射 通过孔 制造 外部 | ||
提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:发光结构,其包括多个半导体层,并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部;透明电极层,其布置在发光结构上;透明保护层,其布置在透明电极层上;分布式布拉格反射器层,其布置在透明保护层上,并且覆盖透明电极层的至少一部分;以及至少一个电极焊盘,其通过孔或过孔连接至透明电极层。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年3月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0025091的优先权,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
技术领域
根据本发明构思的示例性实施例的设备和方法涉及一种半导体发光装置。
背景技术
半导体发光装置被认为是下一代光源,其与传统光源相比具有诸如长寿命、低功耗、快响应时间、环境友好等优点,因此,半导体发光装置作为诸如显示装置的背光等的各种产品中的重要光源已经变得突出。
发明内容
示例实施例提供了一种具有改进的光通量和提高的可靠性的半导体发光装置。示例实施例还提供了一种制造该半导体发光装置的方法。
根据示例实施例,提供了一种半导体发光装置,该半导体发光装置可包括:发光结构,其包括多个半导体层,并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部;透明电极层,其布置在发光结构上;透明保护层,其布置在透明电极层上;分布式布拉格反射器(DBR)层,其布置在透明保护层上,并且覆盖透明电极层的至少一部分;以及至少一个电极焊盘,其通过孔或过孔连接至透明电极层。
根据示例实施例,提供了一种半导体发光装置,该半导体发光装置可包括:发光结构,其包括多个半导体层,并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部;透明电极层,其布置在发光结构上;透明保护层,其布置在透明电极层上;绝缘层,其布置在透明保护层上,并且覆盖透明电极层的至少一部分;以及至少一个电极焊盘,其通过孔或过孔连接至透明电极层,其中,透明保护层的折射率低于绝缘层的折射率,其中,孔或过孔包括彼此连接的第一内壁和第二内壁,第一内壁和第二内壁相对于透明电极层的上表面具有不同倾斜角,并且其中,第一内壁由绝缘层包围,并且第二内壁由透明保护层包围。
根据示例实施例,提供了一种制造半导体发光装置的方法,所述方法可包括:在衬底上形成包括多个半导体层的发光结构;在发光结构上按次序形成透明电极层、透明保护层和绝缘层;形成穿过绝缘层和透明保护层的孔或过孔,以暴露出透明电极层的一些部分;以及在绝缘层上形成电极焊盘,使得电极焊盘通过孔或过孔连接至透明电极层。这里,形成孔或过孔的步骤包括:第一步骤,去除绝缘层的一部分,使得在孔或过孔中暴露出透明保护层的表面;以及第二步骤,去除透明保护层的一部分,使得在孔或过孔中暴露出透明电极层。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述,将更加清楚地理解本发明构思的以上和其它方面、特征和优点,其中:
图1是示意性示出根据示例实施例的半导体发光装置的平面图;
图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图;
图3是图2的部分“A”的放大局部剖视图;
图4A至图4C是示出在根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法中形成孔的处理的剖视图;
图5是图4C中“C”表示的部分的放大局部剖视图;
图6A至图6C是示出在根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法中形成孔的处理的剖视图;
图7、图9、图11、图13、图15、图17和图19是示出根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的