[发明专利]硅莫复相砖及其生产方法

权利要求书

1.一种硅莫复相砖，其砖体由上砖体（1）和下砖体（3）组成，其特征在于：所述上砖体（1）的边缘一体化设有上连接部（2），所述下砖体（3）的边缘设有下连接部（4），所述上连接部（2）与下连接部（4）呈阶梯状相互咬合，所述上连接部（2）与下连接部（4）上均设有凹腔（7）且凹腔（7）相互对接并在砖体内部形成封闭区域，所述上砖体（1）的上表面一体化设有上防滑凸条（6），所述下砖体（3）的下表面一体化设置有下防滑槽（9）。

2.根据权利要求1所述的一种硅莫复相砖，其特征在于：所述凹腔（7）内一体化设有顶块（5）。

3.根据权利要求1所述的一种硅莫复相砖，其特征在于：所述上砖体（1）的上表面还一体化设有与上防滑条（6）相互垂直的定位凸筋（8）。

4.根据权利要求1所述的一种硅莫复相砖，其特征在于：所述下砖体（3）的下表面还一体化设有与下防滑槽（9）相互垂直的定位凹槽（10）。

5.一种根据权利要求1-4任意一项所述的硅莫复相砖的生产方法，其特征在于：包括以下操作步骤：

S1：配料，按质量百分比计称取高铝矾土颗粒50-70%、碳化硅细粉10-15%、高岭土10-15%、叶腊石粉10-15%、刚玉粉10-15%，置于搅拌机中，兑水搅拌20-40分钟，制得含水率5-8%的混合物，备用；

S2：成型，将混合料填充至压模中，在600-700KN压力下压制成型，余料使用保鲜膜密封包裹保存，依次制取上砖体（1）和下砖体（3），再将上砖体（1）和下砖体（3）置于空气湿度3-5%、温度28-35℃的遮荫处晾晒3-5天，备用；

S3：组装，首先将上砖体（1）与下砖体（3）的结合面上浸入清水中3-5s，浸入深度为1cm，再使用S2中的余料涂敷在上砖体（1）与下砖体（3）的结合面上，再将上砖体（1）和下砖体（3）的结合面在20-30KN压力下压紧闭合，将组装后的砖胚置于空气湿度3-5%、温度28-35℃的遮荫处晾晒1天，备用；

S4：烧结，将晾晒后的砖胚置于隧道窑中于1400-1450℃下烧结4-6小时，自然冷却后取出，得硅莫复相砖。