[发明专利]靶材的制备方法

说明书

一种靶材的制备方法，包括提供铁钴钽混合粉，其中钴的原子百分比为28.5％‑29.5％，钽的原子百分比为17.5％‑18.5％；将所述混合粉放入脱气装置中进行脱气工艺。通过严格控制所述混合粉当中将所述混合粉所含的每种金属元素的含量，并且内部铁元素含量相对较高，提高了靶材的纯度的同时，能够有效保证所述铁钴钽靶材的磁通量的提高，进一步提升靶材的储存能力；通过脱气工艺，将所述混合粉的内部的气体经过脱气工艺缓慢均匀排出，减少所述混合粉内部缺陷，提高致密度，提高所述靶材的加工性能避免生产过程中靶材内部参入杂质元素或氧元素。

技术领域

本发明涉及半导体溅射靶材技术领域，特别涉及一种靶材的制备方法。

背景技术

随着社会的发展和人们对信息储存需求的急剧增加，记录媒体如硬盘和光盘等磁性信息存储技术以其存储密度高、容量大及其价格低廉等优势在信息存储领域占据着举足轻重的位置。记录媒体中大多数硬盘、磁盘和光盘等均是以相关的靶材经过半导体溅射工艺而成；铁钴钽合金靶材溅射的薄膜作为磁记录介质中软磁衬底层，主要起着记录和存储数据的功能。在磁记录介质中作用至关重要。

现有技术中，制作出的铁钴钽合金溅射靶材工艺复杂，所制备出的靶材磁通量低且内部氧含量很难控制，致密性低。

因此，极需提供一种铁钴钽合金溅射靶材的制作方法，使得提高靶材的磁通量，减少靶材内部的含氧量，提高靶材的致密度。

发明内容

本发明解决的问题是避免所制备的铁钴钽合金溅射靶材内部易混入氧元素，磁通量及致密度低。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材的制备方法，包括提供铁钴钽混合粉，其中，铁为平衡相，钴的原子百分比为28.5％-29.5％，钽的原子百分比为17.5％-18.5％；将所述混合粉放入脱气装置中进行脱气工艺。

可选的，将所述混合粉放入脱气装置中进行脱气工艺之前，还包括：提供包套，将所述混合粉放入包套中进行装模。

可选的，将所述混合粉进行装模前，还包括：提供V型混粉机，将所述混合粉进行混粉工艺。

可选的，所述混粉工艺压强控制在0.02Mpa-0.06Mpa，混粉时间为6r/min-15r/min。

可选的，所述脱气工艺温度为300℃-600℃，保温时间4h-8h。

可选的，所述脱气工艺包括：所述包套内真空度达到5.0E-3Mpa后停止脱气。

可选的，将所述混合粉放入脱气装置中进行脱气工艺之后，还包括：将脱气工艺后的所述混合粉进行热等静压烧结工艺。

可选的，所述热等静压烧结工艺为冷态增压烧结，包括：将脱气后的所述混合粉进行预烧结；将预烧结后的所述混合粉进行热烧结工艺。

可选的，所述预烧结工艺为400℃-600℃，保温时间为1h-2h。

可选的，所述热烧结工艺温度为700℃-1100℃，保温时间为3h-6h。

可选的，所述热烧结工艺中压强为90Mpa-170Mpa。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

所提供的铁钴钽混合粉中，钴元素的原子百分比为28.5％-29.5％，钽元素的原子百分比为17.5％-18.5％，通过严格控制所述混合粉当中将所述混合粉所含的每种金属元素的含量，提高了靶材的纯度；并且，通过铁元素的添加，能有效提高靶材的磁通量以及储存能力；将所述混合粉放入脱气装置中进行脱气工艺，在脱气工艺中，将所述混合粉的内部的气体经过脱气工艺缓慢均匀排出，减少所述混合粉内部缺陷，提高致密度，提高所述靶材的加工性能，避免生产过程中靶材内部参入杂质元素或氧元素。