[发明专利]一种检测器、检测系统及物质浓度的检测方法在审
申请号: | 201910156534.6 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN109884127A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 胡合合;马啸尘;袁广才;宁策;谷新 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00;G01N27/06 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 崔家源;夏东栋 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电体 检测器 待检测物质 检测系统 第一表面 衬底 绝缘层 检测 源层 电位 薄膜晶体管 预定参数 预定检测 包覆 空腔 承载 应用 生产 | ||
1.一种检测器,其特征在于,包括:
衬底;
有源层,设置在所述衬底上;
第一导电体和第二导电体,均设置在所述有源层的第一表面上,所述第一表面为远离所述衬底的表面;
绝缘层,设置在所述第一表面上,并包覆所述第一导电体和所述第二导电体;
其中,所述绝缘层内设置有空腔,所述空腔位于所述第一导电体和所述第二导电体之间,用于承载待检测物质。
2.根据权利要求1所述的检测器,其特征在于,还包括:缓冲层,设置在所述衬底与所述有源层之间。
3.根据权利要求2所述的检测器,其特征在于,所述缓冲层采用绝缘氧化材料。
4.根据权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述第一导电体靠近所述空腔的表面和所述第二导电体靠近所述空腔的表面之间的距离为10nm~5um。
5.根据权利要求1所述的检测器,其特征在于,
所述第一导电体距离所述第一表面的最远点与所述第一表面之间的距离为
所述第二导电体距离所述第一表面的最远点与所述第一表面之间的距离为
6.根据权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述第一导电体和所述第二导电体之间还设有第一通道,用于测量所述第一导电体与所述第二导电体之间的电流。
7.根据权利要求6所述的检测器,其特征在于,所述绝缘层上还设有第二通道,所述第二通道与所述空腔连通。
8.一种检测系统,其特征在于,包括:
处理器和权利要求1-7中任一项所述的检测器;
所述处理器,被配置为根据所述检测器中的待检测物质的预定参数、所述待检测物质中的电流以及预定检测点的电位确定所述待检测物质的浓度。
9.根据权利要求8所述的检测系统,其特征在于,所述检测系统还包括:
电力发生器和电力检测器;其中,
所述电力发生器,被配置为向所述检测器中的待检测物质施加电压;
所述电力检测器,被配置为检测所述待检测物质中的电流以及所述预定检测点的电位。
10.根据权利要求8所述的检测系统,其特征在于,所述检测系统还包括:
显示器,被配置为显示所述待检测物质的浓度。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的检测系统,其特征在于,所述检测器为数个,数个所述检测器集成于芯片上。
12.一种物质浓度的检测方法,应用权利要求1-7中任一项所述的检测器或权利要求8-11中任一项所述的检测系统,其特征在于,所述检测方法包括:
获取空腔内的待检测物质的第一预定检测点的第一电位,其中,所述第一预定检测点为远离有源层的第一表面的检测点;
获取待检测物质中的第一电流;
确定所述待检测物质的第二预定检测点的第二电位,其中,所述第二预定检测点为靠近所述有源层的第一表面的检测点;
根据所述待检测物质的预定参数、所述第一电位、所述第二电位及所述第一电流确定所述待检测物质的浓度。
13.根据权利要求12所述的检测方法,其特征在于,确定所述待检测物质的第二预定检测点的第二电位,包括:
确定所述第一表面上第三预定检测点的第三电位,其中,所述第三预定检测点位于第一导电体和第二导电体之间;
根据所述第三电位确定所述待检测物质的第二预定检测点的第二电位。
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