[发明专利]一种检测器、检测系统及物质浓度的检测方法

说明书

本发明公开了一种检测器、检测系统及物质浓度的检测方法，检测器包括：衬底；有源层，设置在衬底上；第一导电体和第二导电体，均设置在有源层的第一表面上，第一表面为远离衬底的表面；绝缘层，设置在第一表面上，并包覆第一导电体和第二导电体；其中，绝缘层内设置有空腔，空腔位于第一导电体和第二导电体之间，用于承载待检测物质。本公开提供的检测器和检测系统是基于薄膜晶体管阵列为设计原理，结构简单，生产时可以做到较小的体积，使用便捷。应用本公开所述的检测器或检测系统提供的物质浓度的检测方法根据待检测物质的预定检测点的电位、待检测物质中的电流以及预定参数确定待检测物质的浓度，较为便捷，且检测效率较高。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种检测器、检测系统及物质浓度的检测方法。

背景技术

目前，用于检测液体浓度的检测器一般为探针式液体浓度检测器，这种检测器体积较大，不能够集成于芯片上，使用起来不够便捷；且检测效率低，不能实现同时检测多种液体的浓度。

发明内容

针对现有技术中存在的上述技术问题，本公开提供了一种检测器、检测系统及物质浓度的检测方法，本公开是基于薄膜晶体管阵列为设计原理，结构简单，生产时可以做到较小的体积，使用便捷。

根据本公开的第一方案，提供了一种检测器，所述检测器包括：衬底；有源层，设置在所述衬底上；第一导电体和第二导电体，均设置在所述有源层的第一表面上，所述第一表面为远离所述衬底的表面；绝缘层，设置在所述第一表面上，并包覆所述第一导电体和所述第二导电体；其中，所述绝缘层内设置有空腔，所述空腔位于所述第一导电体和所述第二导电体之间，用于承载待检测物质。

在一些实施例中，还包括：缓冲层，设置在所述衬底与所述有源层之间。

在一些实施例中，所述缓冲层采用绝缘氧化材料。

在一些实施例中，所述第一导电体靠近所述空腔的表面和所述第二导电体靠近所述空腔的表面之间的距离为10nm～5um。

在一些实施例中，所述第一导电体距离所述第一表面的最远点与所述第一表面之间的距离为所述第二导电体距离所述第一表面的最远点与所述第一表面之间的距离为

在一些实施例中，所述第一导电体和所述第二导电体之间还设有第一通道，用于测量所述第一导电体与所述第二导电体之间的电流。

在一些实施例中，所述绝缘层上还设有第二通道，所述第二通道与所述空腔连通。

在一些实施例中，所述有源层的材料为半导体。

在一些实施例中，所述半导体至少包括以下之一：非晶硅、氧化物半导体和低温多晶硅。

所述第一导电体的材料为导体或半导体，所述第二导电体的材料为导体或半导体。

根据本公开的第一方案，提供了一种检测系统，包括：处理器和本公开的实施例中任一项所述的检测器；所述处理器，被配置为根据所述检测器中的待检测物质的预定参数、所述待检测物质中的电流以及预定检测点的电位确定所述待检测物质的浓度。

在一些实施例中，所述检测系统还包括：电力发生器和电力检测器；其中，所述电力发生器，被配置为向所述检测器中的待检测物质施加电压；所述电力检测器，被配置为检测所述待检测物质中的电流以及所述预定检测点的电位。

在一些实施例中，所述检测系统还包括：显示器，被配置为显示所述待检测物质的浓度。

在一些实施例中，所述检测器为数个，数个所述检测器集成于芯片上。