[发明专利]图案化量子点薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案与待制备的量子点薄膜的图案对应；

提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，所述压印模板表面的聚硅氧烷衍生物与所述酸性溶液中的氟化合物反应生成疏水聚硅氧烷衍生物，制备疏水表面；

在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；

提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，且使得所述凸起印章所在的表面与所述量子点溶液接触，进行压印处理，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氟化合物的酸性溶液为氟化物与氢氟酸的混合溶液。

3.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物与氢氟酸的混合溶液中，所述氟化物与所述氢氟酸的摩尔比为10:1-1:10。

4.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物与氢氟酸的混合溶液中，所述氟化物的浓度为1～10mol/L；和/或

所述氟化物与氢氟酸的混合溶液中，所述氢氟酸的浓度为1～20mol/L。

5.如权利要求2至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物与氢氟酸的混合溶液为氟化铵与氢氟酸的混合溶液。

6.如权利要求5所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化铵与氢氟酸的混合溶液中，所述氟化铵的浓度为2～7mol/L；和/或

所述氟化铵与氢氟酸的混合溶液中，所述氢氟酸的工作浓度为1～5mol/L。

7.如权利要求1至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂的步骤，在温度为1～10℃的条件下进行。

8.如权利要求1至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属离子淬灭剂选自铬离子水溶液、钴离子水溶液、汞离子水溶液、锰离子水溶液中的至少一种。

9.如权利要求8所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属离子淬灭剂的浓度为0.001-0.01g/ml。

10.如权利要求1至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述淬灭剂层的厚度为10-20nm。

11.如权利要求1至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述压印处理的方法为：在温度为10℃～100℃、压力为100～1000mbar的条件下，将所述压印模板压于所述量子点溶液上，压印完成后进行冷却退火处理。

12.如权利要求1至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述混合胶体溶液沉积在原始模板上的步骤，在真空环境中进行，且所述真空环境的真空度低于200Pa。

13.如权利要求1至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合胶体溶液中，所述聚硅氧烷衍生物与所述固化剂的质量比为1～100:1。

14.如权利要求13所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合胶体溶液中，所述聚硅氧烷衍生物与所述固化剂的质量比为1～20:1。