[发明专利]图案化量子点薄膜的制备方法

说明书

本发明提供了一种图案化量子点薄膜的制备方法，包括：提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案与待制备的量子点薄膜的图案对应；提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，制备疏水表面；在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。

技术领域

本发明属于量子点薄膜制备技术领域，尤其涉及一种图案化量子点薄膜的制备方法。

背景技术

随着科技的不断发展，发光显示器件已经逐渐成为人类生产生活中不可或缺的一部分。小到人们日常生活中的手表、手机、电视、电脑等家用电器，大到生产设备的显示屏、机械设备的操作面板、航天航空方面的仪表盘等，都需要显示装置去操作和分析。发光显示器件俨然变成当前科技发展的一个热门方向，目前在传统的发光二极管(LED)基础上，又发现了一种依靠自发光的量子点发光二极管(QLED)。因其展现的诸多优良性能使其在光电器件全色彩显示方面发挥了重要应用，此外在杂化有机/无机太阳能电池、生物监测、传感器、等离子体应用等方面也拥有巨大的应用前景。

一直以来，制备具有特殊功能的微观图案化表面是普遍关注的焦点。因为具有特殊图案化或者周期性图案化表面的薄膜在生物传感器、数据存储、光电器件等诸多领域有着重要应用。目前制备图案化量子点薄膜的技术手段有很多，但是无论是在制备成本、工艺流程或者是样品产量方面都各有不足，如成本高、制备效率低、工艺复杂、图案不完整等。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图案化量子点层的制备方法，旨在解决现有方法制备图案化量子点薄膜时，存在制备效率低、图案不完整的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供一种图案化量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案，与待制备的量子点薄膜的图案对应；

提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，制备疏水表面；

在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；

提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，且使得所述凸起印章所在的表面与所述量子点溶液接触，进行压印处理，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。

本发明提供的图案化量子点薄膜的制备方法，先制备聚硅氧烷衍生物固化产物作为基材的压印模板，然后在压印模板的压印面制备聚硅氧烷衍生物UI氟化物反应形成的疏水表面，进而在压印模板的凸起印章表面制备金属离子淬灭剂层，此时，金属离子淬灭剂中的金属离子能与疏水性聚硅氧烷薄膜中的氟离子通过配位键稳定而均匀的铺展在压印模板的凸面。进一步的，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，通过所述凸起印章压印所述量子点溶液。压印过程中金属离子淬灭剂与氟离子之间的配位键断裂，金属离子猝灭剂与量子点膜结合。因此，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离时，金属离子淬灭剂留在相应量子点薄膜对应的区域，最终实现对该区域的量子点的淬灭效果，最终实现图案化量子点薄膜。