[发明专利]固体摄像装置在审
申请号: | 201910159550.0 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN110911426A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 那须勇人;板桥康 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,其中,具备:
衬底;
像素,设置在所述衬底的表面;
多个布线层,设置在所述衬底之上,包括第一布线层和设置在所述第一布线层之上的第二布线层;
绝缘层,设置在所述多个布线层之间;
阻挡金属膜,设置在所述第一布线层的表面,并且,未设置在所述第二布线层的表面;以及
多个插塞,设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间,将所述第一布线层和所述第二布线层连接,
所述多个插塞沿着所述第二布线层的长度方向以200μm以下的间隔进行配置。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述布线层包括设置在所述第二布线层之上的第三布线层,
在所述第三布线层的表面不设置所述阻挡金属膜,
所述多个插塞还以200μm以下的间隔设置在所述第二布线层和所述第三布线层之间,将所述第二布线层和所述第三布线层连接。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述布线层包含铝。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述阻挡金属膜包含钛。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述阻挡金属膜包含钽。
6.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述插塞包含钨。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述绝缘层包含氢。
8.一种固体摄像装置,其中,具备:
衬底;
像素,设置在所述衬底的表面;
至少一层的布线层,设置在所述衬底之上,在表面未设置有阻挡金属膜;
多个金属层,设置在所述布线层之下;
绝缘层,设置在所述布线层和所述多个金属层之间;以及
多个插塞,设置在所述布线层和所述多个金属层之间,将所述布线层和所述多个金属层连接,
所述多个金属层在所述绝缘层中设置为岛状。
9.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,所述多个插塞沿着所述布线层的长度方向以200μm以下的间隔进行配置。
10.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,所述布线层包含铝。
11.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,所述插塞包含钨。
12.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,所述绝缘层包含氢。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的