[发明专利]固体摄像装置在审
申请号: | 201910159550.0 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN110911426A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 那须勇人;板桥康 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
实施方式提供一种即使不设置阻挡金属膜也能够使布线层抵抗应力的固体摄像装置。实施方式的固体摄像装置具备:衬底;像素,设置在所述衬底的表面;多个布线层,设置在所述衬底之上,包括第一布线层和设置在所述第一布线层之上的第二布线层;绝缘层,设置在所述多个布线层之间;阻挡金属膜,设置在所述第一布线层的表面,并且,未设置在所述第二布线层的表面;以及多个插塞,设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间,将所述第一布线层和所述第二布线层连接。所述多个插塞沿着所述第二布线层的长度方向以200μm以下的间隔进行配置。
相关申请:
本申请以日本专利申请2018-173795号(申请日为2018年9月18日)为基础申请要求其优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
实施方式主要涉及一种固体摄像装置。
背景技术
已经提出有在固体摄像装置中为了抑制暗电流而不在布线上设置阻挡金属的结构。
发明内容
实施方式提供一种即使不设置阻挡金属膜也能够使布线层抵抗应力的固体摄像装置。
实施方式的固体摄像装置具备:衬底;像素,设置在所述衬底的表面;多个布线层,设置在所述衬底之上,包括第一布线层和设置在所述第一布线层之上的第二布线层;绝缘层,设置在所述多个布线层之间;阻挡金属膜(barrier metal film),设置在所述第一布线层的表面,并且,未设置在所述第二布线层的表面;以及多个插塞(plug),设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间,将所述第一布线层和所述第二布线层连接。所述多个插塞沿着所述第二布线层的长度方向以200μm以下的间隔进行配置。
附图说明
图1A是实施方式的固体摄像装置的模式剖视图,图1B是实施方式的固体摄像装置的布线层的模式俯视图。
图2是实施方式的固体摄像装置的模式剖视图。
图3A~图3C是实施方式的固体摄像装置的布线层的模式俯视图。
图4是比较例的固体摄像装置的模式剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图,对实施方式进行说明。再有,在各附图中,对相同要素标注相同符号。
图1A是实施方式的固体摄像装置的模式剖视图,图1B是实施方式的固体摄像装置的布线层的模式俯视图。
实施方式的固体摄像装置具有衬底10、设置在衬底10的表面的像素11、多个布线层21、22、多个插塞51、52、以及绝缘层40。多个布线层21、22、多个插塞51、52以及绝缘层40设置在衬底10之上。
像素11包括光电转换部。衬底10例如是硅衬底。像素11包括例如N型硅与P型硅的PN结。实施方式的固体摄像装置例如是线性传感器,具有在单方向上排列有多个像素11的像素列。
在衬底10的表面设置有绝缘膜12。绝缘膜12例如是氧化硅膜。在邻近像素11的区域的绝缘膜12上设置有电荷传输用的栅电极13。
布线层21设置在比栅电极13靠上的层中。布线层21包括通过插塞51而与栅电极13电连接的布线层。插塞51设置在栅电极13与布线层21之间。
在比布线层21靠上的层中设置有布线层22。在图1B所示的例子中,布线层21和布线层22在与衬底10的表面平行的面内相互交叉。
在布线层21和布线层22之间设置有多个插塞52。插塞52将布线层21和布线层22电连接。
在布线层21的表面(上表面和下表面)上设置有阻挡金属膜31。在布线层22的表面未设置阻挡金属膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910159550.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种吸顶灯
- 下一篇:数据锁存电路以及半导体存储装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的