[发明专利]柔性光刻胶软模板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910160336.7 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN109799676A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;韩晓雯;高敏;王雅澜;吴宇峰;胡涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68;G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 光刻胶 软模板 制备 光刻胶材料层 光刻胶图形层 图形化曝光 刻胶材料 纳米尺度 显影处理 腐蚀液 胶残留 洁净度 上光 光刻 去除 保证 | ||
1.一种柔性光刻胶软模板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
1)提供牺牲衬底，在所述牺牲衬底上形成光刻胶材料层；
2)对所述光刻胶材料层进行图形化曝光处理及显影处理，以在所述牺牲衬底上形成光刻胶图形层；
3)采用腐蚀液去除所述牺牲衬底，以获得柔性光刻胶软模板。
2.根据权利要求1所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于：所述牺牲衬底包括锗、铜、镍、铜镍合金及二氧化硅中的一种。
3.根据权利要求1所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于：在所述牺牲衬底上形成光刻胶材料层的方法包括旋涂工艺及喷涂工艺中的一种。
4.根据权利要求1所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于：所述光刻胶材料层包括基于电子束曝光用的光刻胶及紫外曝光用的光刻胶中的一种。
5.根据权利要求1所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于：对所述光刻胶材料层进行图形化曝光处理的方式包括紫外曝光及电子束曝光中的一种。
6.根据权利要求1所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于，还包括步骤：
4)提供目标衬底，将所述柔性光刻胶软模板转移到所述目标衬底上。
7.根据权利要求6所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于：步骤4)包括步骤：
4-1)将所述柔性光刻胶软模板转移到转移液体中；
4-2)提供目标衬底，采用所述目标衬底捞取所述柔性光刻胶软模板并进行烘干，以使所述柔性光刻胶软模板与所述目标衬底紧密贴合。
8.根据权利要求7所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于：所述转移液体包括去离子水。
9.根据权利要求6所述的柔性软模板的制备方法，其特征在于：所述目标衬底包括半导体衬底、绝缘衬底、聚合物衬底及金属衬底中的一种。
10.一种采用如权利要求1～9任意一项所述的柔性光刻胶软模板的制备方法所制备的柔性光刻胶软模板。
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