[发明专利]柔性光刻胶软模板及其制备方法

说明书

本发明提供一种柔性光刻胶软模板及其制备方法，制备方法包括：1)提供牺牲衬底，在牺牲衬底上形成光刻胶材料层；2)对光刻胶材料层进行图形化曝光处理及显影处理，以在牺牲衬底上形成光刻胶图形层；3)采用腐蚀液去除牺牲衬底，以获得柔性光刻胶软模板；4)提供目标衬底，将柔性光刻胶软模板转移到目标衬底上。本发明可以制备出纳米尺度的柔性光刻胶软模板，可大大提高模板精度，本发明的柔性光刻胶软模板精度与光刻精度相同。本发明将制备好的柔性光刻胶软模板转移至目标衬底，不会造成目标衬底上光刻胶残留，保证了目标衬底的洁净度。

技术领域

本发明属于纳米器件制备领域，特别是涉及一种柔性光刻胶软模板及其制备方法。

背景技术

近年来，随着器件尺度的减小，图案化纳米模板生长在微电子学、光电子学、电化学以及电动机械学等领域具有非常重要的应用前景。利用模板的方法可以便捷的制备微纳器件，常见的模板包括硅模板和金属模板，但是受限于材料性质，这些模板难以制成纳米尺寸。

常用的制备微纳器件的工艺中需要使用光刻胶，但光刻胶通常很难完全去除干净，残留的光刻胶会对器件性能产生很大的影响。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种柔性光刻胶软模板及其制备方法，用于解决现有技术中纳米器件的制作模板精度较低以及光刻胶容易残留的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种柔性光刻胶软模板的制备方法，所述制备方法包括：1)提供牺牲衬底，在所述牺牲衬底上形成光刻胶材料层；2)对所述光刻胶材料层进行图形化曝光处理及显影处理，以在所述牺牲衬底上形成光刻胶图形层；3)采用腐蚀液去除所述牺牲衬底，以获得柔性光刻胶软模板。

可选地，所述牺牲衬底包括锗、铜、镍、铜镍合金及二氧化硅中的一种。

可选地，在所述牺牲衬底上形成光刻胶材料层的方法包括旋涂工艺及喷涂工艺中的一种。

可选地，所述光刻胶材料层包括基于电子束曝光用的光刻胶及紫外曝光用的光刻胶中的一种。

可选地，对所述光刻胶材料层进行图形化曝光处理的方式包括紫外曝光及电子束曝光中的一种。

可选地，所述制备方法还包括步骤：4)提供目标衬底，将所述柔性光刻胶软模板转移到所述目标衬底上。

可选地，步骤4)包括步骤：4-1)将所述柔性光刻胶软模板转移到转移液体中；4-2)提供目标衬底，采用所述目标衬底捞取所述柔性光刻胶软模板并进行烘干，以使所述柔性光刻胶软模板与所述目标衬底紧密贴合。

可选地，所述转移液体包括去离子水。

可选地，所述目标衬底包括半导体衬底、绝缘衬底、聚合物衬底及金属衬底中的一种。

本发明还提供一种如上所述的柔性光刻胶软模板的制备方法所制备的柔性光刻胶软模板。

如上所述，本发明的柔性光刻胶软模板及其制备方法，具有以下有益效果：

本发明可以制备出纳米尺度的柔性光刻胶软模板，可大大提高模板精度，本发明的柔性光刻胶软模板精度与光刻精度相同。

本发明将制备好的柔性光刻胶软模板转移至目标衬底，不会造成目标衬底上光刻胶残留，保证了目标衬底的洁净度。

本发明适用范围广泛，可以制备出任意所需图形的模板并且可以转移到任意目标衬底上使用。

附图说明

图1显示为本发明的柔性光刻胶软模板的制备方法步骤流程示意图。

图2～图9显示为本发明的柔性光刻胶软模板的制备方法各步骤所呈现的结构示意图。

元件标号说明