[发明专利]半导体工艺用组合物及半导体工艺

权利要求书

1.一种半导体工艺用组合物，其包含：

包含无机酸或有机酸的第一成分；

以及包含由以下化学式1表示的硅化合物的第二成分；

[化学式1]

在上述化学式1中，

A是选自以下式1-1至1-5中的一个：

在上述式1-5中，

R⁵和R⁶各自独立地从取代或未取代的C₁-C₃₀亚烷基、取代或未取代的C₃-C₃₀环亚烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂环亚烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀亚烯基、取代或未取代的C₃-C₃₀亚环烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂环亚烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀亚炔基中选择，

R⁴从氢、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₃-C₃₀环烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂环烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₃-C₃₀环烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂环烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基中选择，

x和y各自独立地是1至20的整数；

R¹和R³各自独立地从氢、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₁-C₃₀烷氧基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₆-C₃₀脂肪族环基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂脂肪族环基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳香族环基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、以及卤素基中选择，

R¹和R³中的至少一个是C₁-C₃₀烷氧基或卤素基，

R²是C₁-C₃₀烷氧基或卤素，

n是2或3；

其中，所述半导体工艺用组合物还包含溶剂，所述溶剂包含水或极性有机溶剂；

上述无机酸包含选自由硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、硼酸、盐酸、氢氟酸及高氯酸构成的群的一种以上；

上述有机酸包含选自由乙酸、甲酸、葡萄糖酸、乳酸、草酸和氢碳酸构成的群的一种以上；

其中所述第二成分的含量为0.01wt％至1wt％。

2.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

还包含上述第一成分和上述第二成分的反应产物。

3.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

上述极性有机溶剂包含选自由醇、内酯、内酰胺、亚砜、砜、酰胺、脲、咪唑烷酮、腈及吡咯烷酮构成的群的一种以上。

4.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

上述第一成分的含量是50wt％至99wt％。

5.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

上述第一成分的含量是0.5wt％至30wt％。