[发明专利]半导体工艺用组合物及半导体工艺

说明书

提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由化学式1表示的硅化合物的第二成分，还提供一种半导体工艺，包括使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁及/或者除去有机物或无机物的步骤。

技术领域

本发明涉及一种适用于半导体工艺的组合物和使用该组合物的半导体工艺。

背景技术

通过各种工艺在由硅(Si)或砷化镓(GaAs)等作为基本材料制成的晶片上形成图案来制造半导体。这种半导体制造工艺分为多阶段，并且在其过程中使用各种有机物或无机物。具体地，半导体工艺包括晶片制造工艺、氧化工艺、曝光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、沉积工艺、研磨工艺、清洁工艺等阶段。

具体地，在晶片制造工艺中，将以硅石或硅酸盐形式存在的硅加工成多晶硅，然后使用物理纯化方法加工成单晶硅。使这种单晶硅生长以制造圆柱形态的锭(ingot)，将其薄切割和研磨，以制造圆盘形态的晶片。

氧化工艺是氧化晶片以在表面上形成氧化硅膜的工艺。形成在晶片表面的氧化膜在扩散工艺中用作保护膜，保护和稳定表面，并且发挥确保表面的电绝缘性的功能。

曝光工艺是通过使用具有电路图案的掩模(mask)在晶片表面上形成电路图案的工艺。将光致抗蚀剂(Photoresist)薄薄地涂覆在晶片表面上形成感光膜，使用曝光设备照射光线在晶片上形成电路。感光膜还可以在蚀刻工艺、离子注入工艺等中用作保护膜。除了使用光之外，还可以使用电子束或X光线来执行这种曝光工艺。

蚀刻工艺是在曝光工艺中选择性地除去形成有感光膜图案的晶片表面的工艺。蚀刻工艺分为湿法(wet)工艺和干法(dry)工艺，湿法工艺是使用蚀刻液进行蚀刻的工艺，干法工艺是使用等离子体、溅射和离子束等进行蚀刻的工艺。

离子注入工艺是将掺杂(dopant)离子注入晶片中以形成半导体状态的工艺。虽然晶片在纯态下不导电，但是通过离子注入工艺注入离子时，就会有导电性质。

沉积工艺是在晶片上沉积具有电性特性的物质的工艺。作为沉积方法，可以使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)或物理气相沉积(Physical VaporDeposition,PVD)等方法。

研磨工艺是研磨粗糙的晶片表面以形成镜面平坦化区域的工艺。使用化学和/或机械方法进行研磨工艺，并且还可以将其称为CMP(Chemical Mechanical Polishing)工艺。在CMP工艺期间，同时适用化学作用和物理作用以研磨晶片表面。

清洁工艺是指去除晶片中的杂质的任何过程。通过清洁工艺从晶片表面去除不必要的有机物或无机物，从而便于后续处理。

可根据需要以适当的顺序来设计像这样的各种半导体工艺，以制造具有各种功能的高品质半导体。另外，在这些半导体工艺中会使用各种组合物，并且根据这些组合物工艺效率、最终物质属性等会有所差异，因此设计适合各种目的的组合物是重要的课题之一。

发明要解决的课题

本发明的一实施方案提供一种半导体工艺用组合物，其适用于半导体工艺，从而可提供表现出优异的表面物质属性的晶片。

另外，本发明的另一实施方案提供一种使用上述半导体工艺用组合物来执行的半导体工艺。

发明内容

在本发明的一实施方案中，提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由以下化学式1表示的硅化合物的第二成分。

[化学式1]