[发明专利]被处理体的载置装置和处理装置

说明书

本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置，具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述边缘环连接；和第一接触部，其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下使上述边缘环与上述载置台接触。

技术领域

本发明涉及被处理体的载置装置和处理装置。

背景技术

边缘环在处理装置的处理室配置于载置台上的晶片的周缘部，在处理室进行等离子体处理时使等离子体向晶片W的表面会集。此时，边缘环暴露于等离子体，会产生损耗。

由此，有时边缘环上与晶片上的鞘会产生高低差，在晶片的边缘部离子的照射角度倾斜，蚀刻形状产生倾斜(tilting)。此外，有时晶片的边缘部的蚀刻速率变化，晶片内的蚀刻速率的面内分布变得不均匀。于是，在边缘环产生了规定以上的损耗时，需进行更换新的边缘环的动作。然而，此时所产生的更换时间成为了生产性下降的原因之一。

对此，提出了如下方案，即：通过对边缘环施加从直流电源输出的直流电压来控制边缘环上的鞘的厚度，进而控制蚀刻速率的面内分布(例如，参照专利文献1～7)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-7215号公报

专利文献2：美国专利第7572737号说明书

专利文献3：美国专利第9536711号说明书

专利文献4：美国专利第9412579号说明书

专利文献5：日本特开2004-079820号公报

专利文献6：日本特开2006-080375号公报

专利文献7：日本特开2006-245510号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在对边缘环施加直流电压时，使边缘环与载置边缘环的载置台的基座稳定地接触尤为重要。由此，能够使边缘环与基座成为相同电位，能够高精度地控制边缘环上的鞘的厚度。

针对上述问题，从一方面而言，本发明的目的在于提供使边缘环与载置台稳定地接触的结构。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种被处理体的载置装置，其包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述边缘环连接；和第一接触部，其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下，使上述边缘环与上述载置台接触。

发明效果

依照一个方面，能够提供使边缘环与载置台稳定地接触的结构。

附图说明

图1是表示一个实施方式的处理装置的一例的图。

图2是用于说明边缘环的损耗所造成的蚀刻速率和倾斜的变化的图。

图3是用于说明因接触部的反作用力和热膨胀导致的问题的图。

图4是表示第一实施方式的使边缘环与载置台接触的结构的一例的图。

图5是表示第二实施方式的使边缘环与载置台接触的结构的一例的图。

图6是表示第三实施方式的使边缘环与载置台接触的结构的一例的图。