[发明专利]一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，所述二阶非线性光学晶体材料的化学式为Cs₃Na(H₂C₃N₃O₃)₄·3H₂O；所述二阶非线性光学晶体材料属于正交晶系，空间群是Pmn2₁。

2.根据权利要求1所述的二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，所述二阶非线性光学晶体材料的单胞参数为a=16.2724(10)Å，b=6.7781(4)Å，c=11.7617(7) Å，a=β=γ=90°。

3.根据权利要求1所述的二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，所述二阶非线性光学晶体材料由原料混合物采用水热法生长获得；其中，所述原料混合物包括含钠化合物、含铯化合物、氰尿酸和水。

4.如权利要求1~3任一项所述的二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：将原料混合物采用水热法进行晶化，获得二阶非线性光学晶体材料；其中，所述原料混合物包括含钠化合物、含铯化合物、氰尿酸和水。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述含钠化合物为硝酸钠、氯化钠、氧化钠、氟化钠、碘化钠、碳酸钠、氢氧化钠和氟硼酸钠中的至少一种；所述含铯化合物为硝酸铯、草酸铯、硅酸铯、氢氧化铯、氯化铯、氟化铯、碳酸铯、亚氯酸铯、磷酸铯和氟硼酸铯中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，含钠化合物、含铯化合物、氰尿酸和水的用量比为0.1 ~ 20mmol : 0.3 ~ 50mmol : 0.2 ~ 90mmol : 0.5 ~40mL。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述水热法进行晶化的晶化时间为48～240小时；所述水热法进行晶化的晶化温度为100~200℃。

8.如权利要求1~3任一项所述的二阶非线性光学晶体材料在制备激光倍频转化器中的应用。

9.一种激光倍频转化器，其特征在于，所述激光倍频转化器包括至少一种如权利要求1-3任一所述二阶非线性光学晶体材料。