[发明专利]一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种二阶非线性光学晶体材料，其化学式为Cs₃Na(H₂C₃N₃O₃)₄·3H₂O。本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料的制备方法，包括如下步骤：将原料混合物采用水热法进行晶化，获得二阶非线性光学晶体材料；其中，所述原料混合物包括含钠化合物、含铯化合物、氰尿酸和水。本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料在制备激光倍频转化器中的应用。本发明提供了一种新的二阶非线性光学晶体材料Cs₃Na(H₂C₃N₃O₃)₄·3H₂O，其粉末倍频测试结果显示其倍频效应与磷酸二氢钾(KDP)晶体相当，是潜在的非线性光学晶体材料。

技术领域

本发明涉及晶体材料技术领域。更具体地，涉及一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用。

背景技术

随着激光技术的发展，不同波长的激光在国防、医疗、通信、光刻及激光加工等国计民生不同领域都有重大需求。非线性光学晶体是对于激光强电场显示二次以上非线性光学效应的晶体，可用来对激光波长进行变频，改变激光束输出波长，从而扩展激光器的可调谐范围，在激光技术领域具有重要应用价值。

目前常用的非线性光学晶体材料主要有ZnGeP₂，AgGaS₂，AgGaSe₂，KDP(KH₂PO₄)，KTP(KTiOPO₄)，BBO(β-BaB₂O4)，LBO(LiB₃O₅)和KBBF(KBe₂BO₃F₂)等晶体，可以应用于中远红外、可见、紫外以及深紫外等波段范围。

从晶体学的角度来讲，优秀的非线性光学晶体材料应当具备以下特征，空间群是非中心对称的，具有适中的折射率，大的极化率和宽的透过范围，能够实现相位匹配。然而满足添加的优秀的非线性光学晶体条件的可应用的晶体还是少之又少，所以探索新的可应用的非线性光学晶体的任务迫在眉睫。

因此，本发明提供了一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种二阶非线性光学晶体材料。

本发明的第二个目的在于提供一种二阶非线性光学晶体材料的制备方法。

本发明的第三个目的在于提供一种二阶非线性光学晶体材料的应用。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种二阶非线性光学晶体材料，其化学式为Cs₃Na(H₂C₃N₃O₃)₄·3H₂O。

优选地，所述二阶非线性光学晶体材料属于正交晶系，空间群是Pmn2₁。

优选地，所述二阶非线性光学晶体材料的单胞参数为α＝β＝γ＝90°。

优选地，所述二阶非线性光学晶体材料由原料混合物采用水热法生长获得；其中，所述原料混合物包括含钠化合物、含铯化合物、氰尿酸和水。

本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料的制备方法，包括如下步骤：将原料混合物采用水热法进行晶化，获得二阶非线性光学晶体材料；其中，所述原料混合物包括含钠化合物、含铯化合物、氰尿酸和水。