[发明专利]EFEM以及EFEM的气体置换方法在审
申请号: | 201910164786.3 | 申请日: | 2019-03-05 |
公开(公告)号: | CN110277339A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 河合俊宏;小仓源五郎 | 申请(专利权)人: | 昕芙旎雅有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输送机器人 壳构件 输送室 气体置换 晶圆 回归 开口 侧向 室内 非活性气体 连接通路 驱动机构 通路连接 预定方向 收纳 臂机构 支承臂 供氮 配置 去除 体内 驱动 净化 返回 贯穿 流动 | ||
本发明提供EFEM以及EFEM的气体置换方法。在使壳体内的非活性气体循环的类型的EFEM中,抑制成本的增加,并且抑制颗粒放出到输送室内。EFEM具有输送室和回归通路,构成为供氮循环,所述输送室供由用于去除颗粒的FFU净化后的氮沿预定方向流动,所述回归通路使氮自输送室的下游侧向FFU返回。EFEM具备输送机器人,所述输送机器人配置在输送室内,在保持有晶圆的状态下进行预定的动作。输送机器人具有:壳构件,其形成有开口;臂机构,其配置于壳构件的外侧,用于保持晶圆;支柱,其支承臂机构,并且贯穿于开口;以及驱动机构,其收纳于壳构件,用于驱动支柱,输送机器人设有将壳构件与所述回归通路连接的连接通路。
技术领域
本发明涉及一种能使非活性气体循环的EFEM(Equipment Front End Module,设备前端模块)。
背景技术
在专利文献1中公开了一种EFEM,该EFEM在对半导体基板(晶圆)实施预定的处理的处理装置与收纳有晶圆的FOUP(Front-Opening Unified Pod,前开式晶圆传送盒)之间进行晶圆的交接。EFEM包括壳体、装载口以及输送装置,上述壳体形成有输送晶圆的输送室,上述装载口为多个,排列配置在壳体的外侧,并供FOUP分别载置,上述输送装置在输送室内延伸的轨道上行走而输送晶圆。
以往,输送室内的氧、水分等对在晶圆上制造的半导体电路的影响较少,但近年来,随着半导体电路的进一步微细化,上述影响变得明显起来。于是,专利文献1记载的EFEM构成为利用作为非活性气体的氮来填满输送室内。具体而言,EFEM具有循环流路、气体供给部件以及气体排出部件,上述循环流路供氮在壳体的内部循环,含有输送室,上述气体供给部件向循环流路供给氮,上述气体排出部件自循环流路排出氮。根据循环流路内的氧浓度等的变动,适当地供给以及排出氮。由此,与始终供给以及排出氮的结构相比,能够抑制氮的供给量的增加,并且能将输送室内保持为氮气氛。
另外,为了抑制氮的供给量的增加,并且将输送室内保持为适当的气氛,需要设置用于监视氧浓度、湿度等的传感器设备等。但是,若单纯地将传感器设备等设置在输送室内,则可能干扰行走的输送装置。于是,本申请发明人研究了像专利文献2记载的那样的位置被固定的输送装置(输送机器人)的应用,以代替在轨道上行走的输送装置。详细而言,输送机器人包括主体、支柱、驱动机构以及多关节臂,上述主体为中空,固定在输送室内,上述支柱配置为自主体向上方突出,上述驱动机构上下驱动支柱,上述多关节臂安装于支柱并被水平驱动,用于保持并输送晶圆。上述这样的输送机器人通过水平驱动多关节臂,能够接近载置于多个装载口的FOUP。也就是说,在输送室内没有轨道,主体不行走,因此相应地能在输送室内确保传感器设备等的设置空间。
专利文献1:日本特开2015-146349号公报
专利文献2:日本特开2012-169691号公报
发明内容
在专利文献2记载的输送机器人中,通过对支承多关节臂的支柱进行上下驱动,也沿上下方向输送晶圆。在将上述这样的输送机器人应用于专利文献1记载的EFEM的情况下,产生以下这样的问题。即,当为了将在驱动机构动作时可能在主体内产生的颗粒去除,而构成为将主体内的气体(非活性气体)排出到作为EFEM壳体外的外部空间时,供给到输送室内的氮经由开设在主体与支柱之间的间隙被吸引到主体内,随后被排出到外部空间。因此,相应地产生要补充氮的需要,氮的供给成本可能增加。虽说如此,但当构成为不自主体向外部排出氮时,则下次在以使支柱向下方缩进的方式进行驱动(主体的内部容积减小)时,主体内的气体(非活性气体)随着支柱的移动而被推出到周边。因此,含有颗粒的气体(非活性气体)可能经由所述间隙放出到输送室内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造