[发明专利]滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备

权利要求书

1.一种滤光片，其特征在于，包括透明基底以及分别设置在所述透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；

所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层；所述第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，所述第一长波通膜系的过渡带中心波长为700-900nm；所述第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，所述第二长波通膜系的过渡带中心波长为780-900nm；其中，H对应所述高折射率膜层，L对应所述低折射率膜层。

2.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述高折射率膜层的材质包括氢化硅或氮化硅。

3.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述低折射率膜层的材质包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述透明基底的材质包括玻璃、石英、蓝宝石或硅酸盐光学玻璃。

5.根据权利要求4所述的滤光片，其特征在于，所述透明基底的平行度小于30″。

6.一种滤光片的制备方法，其特征在于，包括：

在透明基底的两侧分别形成第一长波通膜系和第二长波通膜系，得到滤光片；

其中，所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层；所述第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，所述第一长波通膜系的过渡带中心波长为700-900nm；所述第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，所述第二长波通膜系的过渡带中心波长为780-900nm；其中，H对应所述高折射率膜层，L对应所述低折射率膜层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述高折射率膜层包括氢化硅膜层，所述低折射率膜层包括氧化硅膜层；

所述在透明基底的两侧分别形成第一长波通膜系和第二长波通膜系，包括：

通过磁控溅射工艺和硅靶，在所述透明基底的一侧逐层交替沉积所述第一长波通膜系中的氢化硅膜层和氧化硅膜层，以及在所述透明基底的另一侧逐层交替沉积所述第二长波通膜系中的氢化硅膜层和氧化硅膜层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述氢化硅膜层的溅射速度为0.1-1.0nm/s，所述氧化硅膜层的溅射速度为0.5-1.5nm/s。

9.一种指纹识别模组，其特征在于，包括如上述权利要求1-5中任一项所述的滤光片。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如上述权利要求9所述的指纹识别模组。